MOSFET SCT de carburo de silicio de 4.ª generación
Los MOSFET de SiC de ROHM presentan un voltaje disruptivo superior que puede soportar voltajes más altos, lo que permite diseños de sistemas compactos.
Los MOSFET SCT4xxx de 4.ª generación de ROHM son revolucionarios dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC) diseñados para ofrecer una eficiencia y un rendimiento sin igual en aplicaciones exigentes. Aprovechando las ventajas inherentes a la tecnología SiC, estos MOSFET ofrecen importantes ventajas frente a los MOSFET de silicio tradicionales. Presentan un voltaje disruptivo superior que puede soportar voltajes más altos, lo que permite diseños de sistemas compactos. Tienen una resistencia en estado encendido ultrabaja (RDS(ON)) que reduce la pérdida de conducción y mejora la eficiencia energética, junto con conmutación de alta velocidad, lo que permite frecuencias de conmutación más rápidas y minimiza la pérdida de conmutación. Estos MOSFET tienen un rendimiento térmico excepcional y funcionan a temperaturas más altas para aumentar la fiabilidad del sistema.
- Rango de voltaje disruptivo: 650 V a 1700 V
- Rango de corriente de drenaje: 3.7 A a 70 A
- Baja RDS(ON)
- Conmutación de alta velocidad
- Conductividad térmica superior
- Paquete TO-247
- Cumplen con la directiva RoHS
- Fuentes de alimentación en modo de conmutación
- Inversores solares
- Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)
- Cargador de vehículos eléctricos (EV)
- Equipo de calefacción de inducción
- Impulsores de motor
- Trenes
- Convertidores de energía eólica
- Fuente de alimentación del centro de datos
- Equipos de automatización industrial
- Equipo de soldadura
- Cargadores de baterías
- Amplificadores de audio de alto rendimiento
- Sistemas de alimentación de aeronaves
SiC MOSFETs
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | SCT3160KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 17A TO247N | 51 - Inmediata | $5.80 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT3060ALGC11 | SICFET N-CH 650V 39A TO247N | 155 - Inmediata | $13.26 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT3030ALGC11 | SICFET N-CH 650V 70A TO247N | 0 - Inmediata | $22.04 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT3040KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 55A TO247N | 574 - Inmediata | $33.76 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT3022KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 95A TO247N | 198 - Inmediata | $44.90 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT3022ALGC11 | SICFET N-CH 650V 93A TO247N | 0 - Inmediata | $38.15 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT3030KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 72A TO247N | 253 - Inmediata | $52.12 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT2H12NYTB | SICFET N-CH 1700V 4A TO268 | 12 - Inmediata | $6.23 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT2H12NZGC11 | SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM | 578 - Inmediata | $5.95 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT3120ALGC11 | SICFET N-CH 650V 21A TO247N | 3858 - Inmediata | $8.40 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT2450KEGC11 | 1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE | 503 - Inmediata | $10.12 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT3080ALGC11 | SICFET N-CH 650V 30A TO247N | 544 - Inmediata | $6.08 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT4062KEC11 | 1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST | 4706 - Inmediata | $10.84 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT3080KRC14 | SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L | 130 - Inmediata | $15.36 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT4036KW7TL | 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST | 244 - Inmediata | $13.88 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT4026DRC15 | 750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR | 3420 - Inmediata | $15.98 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT4036KRC15 | 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST | 4526 - Inmediata | $16.23 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT4036KEC11 | 1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST | 4657 - Inmediata | $16.24 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT4036KRHRC15 | 1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST | 506 - Inmediata | $17.24 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT4013DW7TL | 750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR | 85 - Inmediata | $24.10 | Ver detalles |











