FET simple, MOSFET

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de 43.136

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	135.201 En stock	1 : 0,11000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,01855 € Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	400mA (Ta)	4.5V, 10V	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	268.328 En stock	1 : 0,12000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02051 € Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	3.9Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN62D0U-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Diodes Incorporated	254.012 En stock 7.719.000 Fábrica	1 : 0,13000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,04003 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	380mA (Ta)	1.8V, 4.5V	2Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±20V	32 pF @ 30 V	-	380mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	28.824 En stock	1 : 0,13000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02673 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	190mA (Ta), 300mA (Tc)	5V, 10V	4.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	20 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1.33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	1.227.537 En stock	1 : 0,14000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02441 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7.5Ohm a 50mA, 5V	2.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Diodes Incorporated	460.035 En stock 14.475.000 Fábrica	1 : 0,15000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02929 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	380mA (Ta)	5V, 10V	2Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 1mA	0.3 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	447.234 En stock	1 : 0,15000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03027 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	360mA (Ta)	10V	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.4V a 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	194.426 En stock	1 : 0,15000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02832 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	10V	3.5Ohm a 220mA, 10V	1.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84Q-13-F BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Diodes Incorporated	18.280 En stock	1 : 0,15000 € Cinta cortada (CT) 10.000 : 0,02111 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm a 100mA, 5V	2V a 1mA	0.59 nC @ 10 V	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-TP MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	144.987 En stock	1 : 0,16000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02539 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	220mA (Tj)	4.5V, 10V	3.5Ohm a 220mA, 10V	1.5V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	281.793 En stock 6.930.000 Fábrica	1 : 0,17000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03217 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	460mA (Ta)	1.8V, 4.5V	700mOhm a 350mA, 4.5V	1V a 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	±6V	59.76 pF @ 16 V	-	270mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
2N7002W-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 Diodes Incorporated	116.049 En stock	1 : 0,17000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,04101 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7.5Ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
SSM3K37FS,LF MOSFET N-CH 20V 200MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	68.238 En stock	1 : 0,17000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03027 € Cinta y rollo (TR)	U-MOSIII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.5V, 4.5V	2.2Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 1mA	-	±10V	12 pF @ 10 V	-	100mW (Ta)	150°C (TA)	-	-	Montaje en superficie	SSM	SC-75, SOT-416
BSS138P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	667.648 En stock	1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02832 € Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	360mA (Ta)	10V	1.6Ohm a 300mA, 10V	1.5V a 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta), 1.14W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TA)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	290.932 En stock	1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03418 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	170mA (Ta)	10V	6Ohm a 170mA, 10V	2V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K72KCT,L3F MOSFET N-CH 60V 400MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	151.275 En stock	1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT) 10.000 : 0,02929 € Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	400mA (Ta)	4.5V, 10V	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	CST3	SC-101, SOT-883
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	4.612 En stock	1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02929 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	4.5V, 10V	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.3V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	595.710 En stock	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02343 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 2.5V	1.2Ohm a 100mA, 2.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
BSS84AK,215 MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB Nexperia USA Inc.	459.044 En stock	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02513 € Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	180mA (Ta)	10V	7.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.35 nC @ 5 V	±20V	36 pF @ 25 V	-	350mW (Ta), 1.14W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138W-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Diodes Incorporated	416.515 En stock 231.000 Fábrica	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03808 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	10V	3.5Ohm a 220mA, 10V	1.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies	328.189 En stock	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,05026 € Cinta y rollo (TR)	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	170mA (Ta)	4.5V, 10V	8Ohm a 170mA, 10V	2V a 20µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	19 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN63D8L-7 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Diodes Incorporated	229.614 En stock 900.000 Fábrica	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03103 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	350mA (Ta)	2.5V, 10V	2.8Ohm a 250mA, 10V	1.5V a 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	222.653 En stock	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03222 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	260mA (Ta)	4.5V, 10V	2.5Ohm a 240mA, 10V	2.5V a 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX7002BKMYL MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 Nexperia USA Inc.	61.070 En stock	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 10.000 : 0,02929 € Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	350mA (Ta)	5V, 10V	2.8Ohm a 200mA, 10V	2.1V a 250µA	1 nC @ 10 V	±20V	23.6 pF @ 10 V	-	350mW (Ta), 3.1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-883	SC-101, SOT-883
DMN53D0LW-7 MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Diodes Incorporated	3.193 En stock 114.000 Fábrica	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03515 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	360mA (Ta)	5V, 10V	2Ohm a 270mA, 10V	1.5V a 100µA	1.2 nC @ 10 V	±20V	45.8 pF @ 25 V	-	320mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

FET simple, MOSFET

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