FET simple, MOSFET

Demostración

de 43.709

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
2N7002BK,215 MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Nexperia USA Inc.	357.431 En stock	1 : 0,09000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02233 € Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	350mA (Ta)	10V	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	370mW (Ta)	150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	187.338 En stock	1 : 0,11000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02248 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	190mA (Ta), 300mA (Tc)	5V, 10V	4.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	20 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1.33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	168.696 En stock	1 : 0,11000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,01965 € Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	3.9Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	167.565 En stock	1 : 0,12000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,01965 € Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	400mA (Ta)	4.5V, 10V	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Infineon Technologies	103.515 En stock	1 : 0,12000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03037 € Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	0.6 nC @ 10 V	±20V	20 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	1.241.337 En stock	1 : 0,13000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02591 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	10V	3.5Ohm a 220mA, 10V	1.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	237.454 En stock 25.800.000 Fábrica	1 : 0,13000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03219 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm a 100mA, 5V	2V a 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	848.082 En stock	1 : 0,14000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02233 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7.5Ohm a 50mA, 5V	2.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	481.853 En stock	1 : 0,14000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02323 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	360mA (Ta)	10V	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.4V a 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84Q-13-F BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Diodes Incorporated	25.782 En stock 570.000 Fábrica	1 : 0,14000 € Cinta cortada (CT) 10.000 : 0,01839 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm a 100mA, 5V	2V a 1mA	0.59 nC @ 10 V	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Diodes Incorporated	384.612 En stock	1 : 0,15000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02680 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	380mA (Ta)	5V, 10V	2Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 1mA	0.3 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Infineon Technologies	154.438 En stock	1 : 0,16000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,04020 € Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	190mA (Ta)	4.5V, 10V	6Ohm a 190mA, 10V	1.8V a 13µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	20.9 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTR4003NT3G MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 onsemi	144.223 En stock	1 : 0,16000 € Cinta cortada (CT) 10.000 : 0,03663 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	500mA (Ta)	2.5V, 4V	1.5Ohm a 10mA, 4V	1.4V a 250µA	1.15 nC @ 5 V	±20V	21 pF @ 5 V	-	690mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2305UX-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	101.954 En stock 810.000 Fábrica	1 : 0,16000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03954 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2 A (Ta)	1.8V, 4.5V	52mOhm a 4.2A, 4.5V	900mV a 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	±8V	808 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-TP MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	101.533 En stock	1 : 0,16000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03037 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	220mA (Tj)	4.5V, 10V	3.5Ohm a 220mA, 10V	1.5V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	32.075 En stock	1 : 0,17000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03216 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	4.5V, 10V	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.3V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN53D0LW-7 MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Diodes Incorporated	15.646 En stock 249.000 Fábrica	1 : 0,17000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03216 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	360mA (Ta)	5V, 10V	2Ohm a 270mA, 10V	1.5V a 100µA	1.2 nC @ 10 V	±20V	45.8 pF @ 25 V	-	320mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMG2302UKQ-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3 Diodes Incorporated	485.237 En stock	1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,12445 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	2.8 A (Ta)	2.5V, 4.5V	90mOhm a 3.6A, 4.5V	1V a 250µA	2.8 nC @ 10 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	660mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138W-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Diodes Incorporated	251.561 En stock	1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03037 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	10V	3.5Ohm a 220mA, 10V	1.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	233.812 En stock	1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02323 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 2.5V	1.2Ohm a 100mA, 2.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	136.583 En stock	1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02759 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	460mA (Ta)	1.8V, 4.5V	700mOhm a 350mA, 4.5V	1V a 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	±6V	59.76 pF @ 16 V	-	270mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
SSM3K72KCT,L3F MOSFET N-CH 60V 400MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	111.510 En stock	1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT) 10.000 : 0,02412 € Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	400mA (Ta)	4.5V, 10V	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	CST3	SC-101, SOT-883
DMN6140L-13 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Diodes Incorporated	146.338 En stock 1.810.000 Fábrica	1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT) 10.000 : 0,04377 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.6 A (Ta)	4.5V, 10V	140mOhm a 1.8A, 10V	3V a 250µA	8.6 nC @ 10 V	±20V	315 pF @ 40 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies	166.413 En stock	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,04109 € Cinta y rollo (TR)	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	3.5Ohm a 230mA, 10V	1.4V a 26µA	1.4 nC @ 10 V	±20V	41 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	132.624 En stock	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03127 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	0.9V, 4.5V	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	800mV a 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	UMT3F	SC-85

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de 43.709

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

FET simple, MOSFET

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