Name: SCT3120ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3120ALGC11-ND
Price: 10.9505 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) TO-247N

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SCT3120ALGC11
N.º de producto de DigiKey	SCT3120ALGC11-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	SCT3120ALGC11
Descripción	SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) TO-247N
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SCT3120ALGC11 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 3.33mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC @ 18 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +22V, -4V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 460 pF @ 500 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 103W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 21A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-247N
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 156mOhm a 6.7A, 18V	Número de producto base SCT3120

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Documentos y medios

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Recursos adicionales

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	9,05000 €	9,05 €
30	5,35433 €	160,63 €
120	4,54258 €	545,11 €
510	3,94796 €	2.013,46 €
1.020	3,88829 €	3.966,06 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.