VideoLibrary

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

ROHM's amplifier IC for current detection using a shunt resistor is ideal for industrial equipment, communication equipment, and overcurrent detection applications. Built-in peripheral components save space by reducing the number of external parts.

6/21/2023 5:47:50 PM

BD14210G Current Sense Amplifier

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
CURRENT SENSE AMPLIFIER: THE BD1BD14210G-LATRCURRENT SENSE AMPLIFIER: THE BD12712 - Inmediata$0.77Ver detalles
EVAL BOARD FOR BD14210BD14210G-EVK-001EVAL BOARD FOR BD142103 - Inmediata$45.65Ver detalles

BD9x Series

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
IC REG BUCK ADJ 1A 16VQFNBD9A101MUV-LBE2IC REG BUCK ADJ 1A 16VQFN2874 - Inmediata$1.79Ver detalles
IC REG BUCK ADJ 3A 16VQFNBD9A301MUV-LBE2IC REG BUCK ADJ 3A 16VQFN3000 - Inmediata$2.06Ver detalles
IC REG BUCK ADJ 3A 16VQFNBD9B301MUV-LBE2IC REG BUCK ADJ 3A 16VQFN5719 - Inmediata$2.77Ver detalles

GMR Series Shunt Resistors

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
RES 0.015 OHM 1% 7W 2512GMR100HTBFER015RES 0.015 OHM 1% 7W 2512101 - Inmediata$1.70Ver detalles
RES 0.01 OHM 1% 7W 2512GMR100HTBFA10L0RES 0.01 OHM 1% 7W 25121242 - Inmediata$1.70Ver detalles
RES 0.22 OHM 1% 7W 2512GMR100HTCFIR220RES 0.22 OHM 1% 7W 2512508 - Inmediata$1.93Ver detalles

High-Power Ultra-Low Ohmic Shunt Resistors

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
RES 0.0003 OHM 1% 10W 3920PSR400ITQFD0L30RES 0.0003 OHM 1% 10W 39208080 - Inmediata$2.61Ver detalles
RES 0.0005 OHM 1% 10W 3920PSR400ITQFF0L50RES 0.0005 OHM 1% 10W 39200 - Inmediata$2.25Ver detalles
RES 0.001 OHM 1% 8W 3920PSR400ITQFH1L00RES 0.001 OHM 1% 8W 39207078 - Inmediata$2.25Ver detalles

SiC Power MOSFETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
SICFET N-CH 650V 39A TO247-4LSCT3060ARC14SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L334 - Inmediata$18.50Ver detalles
SICFET N-CH 650V 70A TO247-4LSCT3030ARC14SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L123 - Inmediata$41.19Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4LSCT3105KRC14SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L102 - Inmediata$18.34Ver detalles

Related Videos

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

Fecha de publicación: 2023-09-20

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Fecha de publicación: 2023-02-06

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Fecha de publicación: 2023-02-06

Related Product Highlight

Reguladores de voltaje de conmutación BD9x La serie BD9x de ROHM Semiconductor ofrece una solución convincente para los diseñadores que buscan convertidores reductores de CC/CC de alta eficiencia.
MOSFET SCT de carburo de silicio de 4.ª generación Los MOSFET de carburo de silicio de 4.ª generación de ROHM están diseñados para ofrecer una eficiencia y un rendimiento sin igual en aplicaciones exigentes.
Amplificador de detección de corriente de ±1 % de precisión BD14210G El CI del amplificador de detección de corriente con una precisión de ±1 % de ROHM presenta un diseño que ahorra espacio y un amplio rango de voltaje de entrada de -0.2 V a +26 V.

Related Articles and Blogs

Cómo reducir las pérdidas, mejorar la eficiencia y ampliar el rango de temperatura en aplicaciones de alta potencia Los diseñadores pueden utilizar los MOSFET de SiC de 4ª generación para mejorar enormemente la eficiencia, abaratar los costes y reducir el tamaño de los circuitos de control de alta tensión y alta potencia.
Los semiconductores de banda prohibida reconfiguran el mundo del transporte Todo el sector del transporte está experimentando una transformación radical con soluciones para coches eléctricos e híbridos y un transporte de masas más limpio.
Semiconductores de amplio salto energético en aplicaciones aeroespaciales y de satélites Los semiconductores de amplio salto energético aportan varias ventajas a la conversión de potencia, como el aumento de la densidad de potencia y la eficiencia, y la reducción del tamaño y el peso del sistema.

Related Product Training Modules

Basics of Thermal Resistance and Heat Dissipation and Calculation of Junction Temperature (Tj) ROHM discusses the concepts of thermal resistance and heat dissipation, as well as the calculation of junction temperature.
Op Amp Overview ROHM offers low-noise op amps, high EMI immunity op amps, and high precision SPICE models for high-accuracy sensor systems.
High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.