VideoLibrary

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

ROHM SiC MOSFETs have been adopted in Midnite Solar’s high power charge controllers, inverters, and state-of-the-art inverter/charger systems utilize that demand higher efficiency operation, a robust design, and long operational life.

2/6/2023 4:57:29 PM

Part List

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónConfiguración de diodoTecnologíaVoltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)Cantidad disponiblePrecioVer detalles
DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247SCS230KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247Cátodo común, 1 parSiC (carburo de silicio) Schottky1200 V2 - Inmediata$15.11Ver detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULECarburo de silicio (SiC)Dos canal N (doble)-61 - Inmediata$272.94Ver detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULECarburo de silicio (SiC)Dos canal N (doble)-13 - Inmediata$482.32Ver detalles
DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSCS212AGC17DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSiC (carburo de silicio) Schottky650 V12A930 - Inmediata$5.73Ver detalles
DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSCS205KGC17DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSiC (carburo de silicio) Schottky1200 V5A998 - Inmediata$5.62Ver detalles
DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSCS302AHGC9DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSiC (carburo de silicio) Schottky650 V2.15A1234 - Inmediata$2.54Ver detalles
DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSCS210KGC17DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSiC (carburo de silicio) Schottky1200 V10A264 - Inmediata$8.05Ver detalles
DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSCS220KGC17DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSiC (carburo de silicio) Schottky1200 V20A390 - Inmediata$12.53Ver detalles
DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247NSCS220KE2HRC11DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247NCátodo común, 1 parSiC (carburo de silicio) Schottky1200 V0 - Inmediata$7.24Ver detalles
DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247NSCS230AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247NCátodo común, 1 parSiC (carburo de silicio) Schottky650 V545 - Inmediata$12.06Ver detalles
DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247SCS210KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247Cátodo común, 1 parSiC (carburo de silicio) Schottky1200 V450 - Inmediata$9.48Ver detalles
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247NSCS240AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247NCátodo común, 1 parSiC (carburo de silicio) Schottky650 V0 - Inmediata$12.90Ver detalles
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2GC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NCátodo común, 1 parSiC (carburo de silicio) Schottky650 V79 - Inmediata$8.70Ver detalles
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NCátodo común, 1 parSiC (carburo de silicio) Schottky650 V199 - Inmediata$8.91Ver detalles
DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247NSCS240KE2GC11DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247NCátodo común, 1 parSiC (carburo de silicio) Schottky1200 V150 - Inmediata$21.02Ver detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULECarburo de silicio (SiC)2 canales N (medio puente)-16 - Inmediata$671.51Ver detalles
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSCS208AGC17DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSiC (carburo de silicio) Schottky650 V8A786 - Inmediata$3.38Ver detalles
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSCS310AHGC9DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSiC (carburo de silicio) Schottky650 V10A0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEMOSFET-134 A7 - Inmediata$255.65Ver detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P3E005MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULECarburo de silicio (SiC)2 canales N (medio puente)-6 - Inmediata$1,174.36Ver detalles

Related Videos

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

Fecha de publicación: 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Fecha de publicación: 2023-06-22

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Fecha de publicación: 2023-02-06

Related Product Highlight

MOSFET SCT de carburo de silicio de 4.ª generación Los MOSFET de carburo de silicio de 4.ª generación de ROHM están diseñados para ofrecer una eficiencia y un rendimiento sin igual en aplicaciones exigentes.
MOSFET de SiC de 4.ª generación Los MOSFET de SiC de 4.ª generación de ROHM se caracterizan por su baja pérdida de conmutación y su compatibilidad con un voltaje de compuerta-fuente de 15 V, lo que contribuye al ahorro de energía del dispositivo.
Chip BD3430 DAC - Serie MUS-ICT™ La serie MUS-ICT de ROHM contiene el chip BD3430 DAC, un circuito integrado de audio de alta calidad.

Related Articles and Blogs

Cómo reducir las pérdidas, mejorar la eficiencia y ampliar el rango de temperatura en aplicaciones de alta potencia Los diseñadores pueden utilizar los MOSFET de SiC de 4ª generación para mejorar enormemente la eficiencia, abaratar los costes y reducir el tamaño de los circuitos de control de alta tensión y alta potencia.
Los semiconductores de banda prohibida reconfiguran el mundo del transporte Todo el sector del transporte está experimentando una transformación radical con soluciones para coches eléctricos e híbridos y un transporte de masas más limpio.
Semiconductores de amplio salto energético en aplicaciones aeroespaciales y de satélites Los semiconductores de amplio salto energético aportan varias ventajas a la conversión de potencia, como el aumento de la densidad de potencia y la eficiencia, y la reducción del tamaño y el peso del sistema.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.