MOSFET SiC de 7 pines

Semiconductor ROHM amplía su cartera de MOSFET discretos de carburo de silicio (SiC) con dispositivos ahora disponibles en el paquete TO-263-7L SMD. El beneficio de la conexión Kelvin al terminal fuente del MOSFET SiC proporcionado por el paquete TO-263-7L se ilustra en la imagen a continuación. La inductancia-fuente principal (L_S) ya no es compartida por el bucle de accionamiento de compuerta y la ruta de corriente principal. Como resultado, el dispositivo se puede conmutar más rápidamente, lo que conduce a una reducción de las pérdidas de conmutación.

El paquete SMD TO-263-7L y sus inductancias parasitarias

Al encenderse, el dispositivo de tres conductores tiene una velocidad de conmutación limitada porque la caída de voltaje inductivo a través del terminal de la fuente reduce el voltaje de puerta efectivo, lo que lleva a un tiempo de transición di/dt largo y pérdidas de encendido significativas. Este período es más corto en un dispositivo en el paquete SMD con conexión de fuente Kelvin al controlador de compuerta y, por lo tanto, se reduce la pérdida de encendido. De manera similar, se puede lograr una velocidad di/dt mucho más alta en el transitorio de apagado debido al efecto de inductancia parásita reducido en el paquete TO263-7L, lo que resulta en una menor pérdida de apagado que el paquete TO-247.

Si bien los MOSFET de SiC pueden alcanzar velocidades de conmutación muy altas, lo que reduce significativamente la pérdida de energía en los convertidores electrónicos de potencia, no siempre se puede utilizar todo el potencial de los dispositivos debido a las limitaciones de los paquetes de semiconductores de potencia tradicionales. Este paquete actualizado de ROHM tiene como objetivo eliminar esa limitación.