Name: SCT3080ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3080ALGC11-ND
Price: 7.3568 EUR
Availability: InStock

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SCT3080ALGC11
N.º de producto de DigiKey	SCT3080ALGC11-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	SCT3080ALGC11
Descripción	SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 30A (Tc) 134W (Tc) TO-247N
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	104mOhm a 10A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	48 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	571 pF @ 500 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	134W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247N
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	SCT3080

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