Arreglos FET, MOSFET

Demostración

de 6.004

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tecnología	Configuración	Característica de FET	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Potencia - Máx.	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	209.526 En stock	1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03396 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	60V	300mA	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6nC a 4.5V	40pF a 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	94.111 En stock	1 : 0,27000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,05433 € Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	300mA	3Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	0.6nC a 10V	20pF a 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	42.113 En stock	1 : 0,27000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,05156 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	60V	230mA	7.5Ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	67.075 En stock	1 : 0,28000 € Cinta cortada (CT) 4.000 : 0,03663 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V	20V	800mA (Ta)	235mOhm a 800mA, 4.5V, 390mOhm a 800mA, 4.5V	1V a 1mA	1nC a 10V	55pF a 10V, 100pF a 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	ES6
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	2.716 En stock	1 : 0,29000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,05341 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V	20V	250mA (Ta)	2.2Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 1mA	-	12pF a 10V	300mW	150°C	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	46.148 En stock	1 : 0,30000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,07593 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	115mA	7.5Ohm a 50mA, 5V	2V a 250µA	-	50pF a 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
SSM6L36FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	68.278 En stock	1 : 0,32000 € Cinta cortada (CT) 4.000 : 0,05780 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	20V	500mA, 330mA	630mOhm a 200mA, 5V	1V a 1mA	1.23nC a 4V	46pF a 10V	150mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	ES6
BSS138BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	325.408 En stock	1 : 0,33000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,06183 € Cinta y rollo (TR)	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	320mA	1.6Ohm a 320mA, 10V	1.6V a 250µA	0.7nC a 4.5V	56pF a 10V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	45.711 En stock	1 : 0,33000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,07071 € Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	880mA	400mOhm a 880mA, 2.5V	750mV a 1.6µA	0.26nC a 2.5V	78pF a 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SIL2308-TP MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L MCC (Micro Commercial Components)	60.286 En stock	1 : 0,34000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,07449 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	-	20V	5A, 4A	38mOhm a 4.5A, 4.5V, 90mOhm a 500mA, 4.5V	1V a 250µA	11nC a 4.5V, 12nC a 2.5V	800pF, 405pF a 8V, 10V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6	SOT-23-6L
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	650.455 En stock	1 : 0,35000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,06448 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.2V	50V	200mA	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 1mA	-	25pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	33.674 En stock	1 : 0,36000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,06355 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico, controlador de 4.5V	30V	3.4 A, 2.8 A	60mOhm a 3.1A, 10V	2.3V a 250µA	13nC a 10V	400pF a 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6	TSOT-26
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	3.150 En stock	1 : 0,36000 € Cinta cortada (CT) 8.000 : 0,06745 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico, controlador de 0.9V	50V	200mA	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	800mV a 1mA	-	26pF a 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	EMT6
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	16.004 En stock	1 : 0,37000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,06355 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	30V	3.8 A, 2.5 A	55mOhm a 3.4A, 10V	1.5V a 250µA	12.3nC a 10V	422pF a 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6	TSOT-26
NVTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	125.212 En stock	1 : 0,38000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,06968 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	30V	250mA	1.5Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 100µA	1.3nC a 5V	33pF a 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SI1034CX-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Vishay Siliconix	13.555 En stock	1 : 0,38000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,08397 € Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	610mA (Ta)	396mOhm a 500mA, 4.5V	1V a 250µA	2nC a 8V	43pF a 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)
NTJD4152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 onsemi	67.844 En stock	1 : 0,39000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,07645 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal P (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	880mA	260mOhm a 880mA, 4.5V	1.2V a 250µA	2.2nC a 4.5V	155pF a 20V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	13.270 En stock	1 : 0,39000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,08196 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	30V	250mA	1.5Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 100µA	1.3nC a 5V	33pF a 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	53.458 En stock	1 : 0,42000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,07553 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	30V	400mA, 200mA	700mOhm a 200 MA, 10V	1.8V a 100µA	-	20pF a 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
BSS138DWQ-7 MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 Diodes Incorporated	22.058 En stock 1.062.000 Fábrica	1 : 0,42000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,08929 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	50V	200mA	3.5Ohm a 220mA, 10V	1.5V a 250µA	-	50pF a 10V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
IRLHS6376TRPBF MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN Infineon Technologies	110.618 En stock	1 : 0,45000 € Cinta cortada (CT) 4.000 : 0,14651 € Cinta y rollo (TR)	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	30V	3.6A	63mOhm a 3.4A, 4.5V	1.1V a 10µA	2.8nC a 4.5V	270pF a 25V	1.5W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-PowerVDFN	6-PQFN Dual (2x2)
BSS84DW-7-F MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363 Diodes Incorporated	5.987 En stock 684.000 Fábrica	1 : 0,45000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,08656 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal P (doble)	Compuerta de nivel lógico	50V	130mA	10Ohm a 100mA, 5V	2V a 1mA	-	45pF a 25V	300mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SI3932DV-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP Vishay Siliconix	29.356 En stock	1 : 0,46000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,17866 € Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	30V	3.7A	58mOhm a 3.4A, 10V	2.2V a 250µA	6nC a 10V	235pF a 15V	1.4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6	6-TSOP
NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : 0,46000 € Cinta cortada (CT) 4.000 : 0,10053 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	20V	540mA, 430mA	550mOhm a 540mA, 4.5V	1V a 250µA	2.5nC a 4.5V	150pF a 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SOT-563
DMG1029SV-7 MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563 Diodes Incorporated	383.518 En stock 2.805.000 Fábrica	1 : 0,47000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,09055 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	60V	500mA, 360mA	1.7Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	0.3nC a 4.5V	30pF a 25V, 25pF a 25V	450mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SOT-563

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de 6.004

Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.

Arreglos FET, MOSFET

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