Diodos de carburo de silicio (SiC) de 1200 V, MOSFET y Módulos
ROHM presenta su próxima generación de dispositivos de energía de SiC y módulos para ahorro mejorado de energía en muchas aplicaciones.
El carburo de silicio (SiC) se perfila como el candidato más viable en la búsqueda de un elemento de última generación, de baja pérdida debido a su baja resistencia en estado encendido y características superiores bajo altas temperaturas.ROHM está desarrollando dispositivos de energía de SiC y módulos de ahorro de energía mejorada en un número de aplicaciones, desde inversores de alta eficiencia en convertidores CC/CA para fuentes de alimentación solares/eólicas y vehículos eléctricos/híbridos hasta inversores de potencia para equipos industriales y acondicionadores de aire.
| Características | Aplicaciones | |
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1200 V Silicon Carbide SiC Diodes
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | SCT2450KEC | SICFET N-CH 1200V 10A TO247 | 0 - Inmediata | $3.58 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT2280KEC | SICFET N-CH 1200V 14A TO247 | 0 - Inmediata | $4.53 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT2160KEC | SICFET N-CH 1200V 22A TO247 | 0 - Inmediata | $7.12 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCT2080KEC | SICFET N-CH 1200V 40A TO247 | 0 - Inmediata | $12.58 | Ver detalles |
![]() | ![]() | SCH2080KEC | SICFET N-CH 1200V 40A TO247 | 0 - Inmediata | See Page for Pricing | Ver detalles |
![]() | ![]() | BSM120D12P2C005 | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 2 - Inmediata | $322.91 | Ver detalles |
![]() | ![]() | BSM180D12P2C101 | MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE | 1 - Inmediata | $387.36 | Ver detalles |







