SCT2280KEC es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:

Directo


Rohm Semiconductor
En stock: 1.608
Precio por unidad : 9,26000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 121
Precio por unidad : 9,45000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 258
Precio por unidad : 17,04000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : 5,99593 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 26
Precio por unidad : 37,32000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : 19,67530 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : 0,00000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 219
Precio por unidad : 20,99000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 56
Precio por unidad : 27,96000 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : 12,29713 €
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : 16,10670 €
Hoja de datos

Similar


Microchip Technology
En stock: 121
Precio por unidad : 7,51000 €
Hoja de datos
Canal N Orificio pasante 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) TO-247
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
Canal N Orificio pasante 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) TO-247
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2280KEC

N.º de producto de DigiKey
SCT2280KEC-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
SCT2280KEC
Descripción
SICFET N-CH 1200V 14A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) TO-247
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
SCT2280KEC Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
364mOhm a 4A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 1.4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
36 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
667 pF @ 800 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
108W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

Vea lo que preguntan los ingenieros, haga sus propias preguntas o ayude a un miembro de la comunidad de ingenieros de DigiKey

Obsoleto
Este producto ya no se fabrica. Ver Reemplazos.