BSM120D12P2C005
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BSM120D12P2C005
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P2C101

N.º de producto de DigiKey
BSM180D12P2C101-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
BSM180D12P2C101
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Plazo estándar del fabricante
22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Módulo
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
BSM180D12P2C101 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tecnología
Carburo de silicio (SiC)
Configuración
2 canales N (medio puente)
Característica de FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
204A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 35.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
23000pF a 10V
Potencia - Máx.
1130W
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Caja (carcasa)
Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor
Módulo
Número de producto base
BSM180
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