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ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2080KEC

N.º de producto de DigiKey
SCT2080KEC-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
SCT2080KEC
Descripción
SICFET N-CH 1200V 40A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) TO-247
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
SCT2080KEC Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
117mOhm a 10A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 4.4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
106 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2080 pF @ 800 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
262W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Obsoleto
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