FET simple, MOSFET

Resultados : 43.600
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Ampleon USA Inc.Analog Devices Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCambridge GaN DevicesCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyCoolCADDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPC
Serie
-*18N20Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, HEXFET®
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)SiCFET (Carburo de silicio)SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)45mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V0.35V0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 3V1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.2V, 5V1.3V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.3mOhm a 200A, 10V0.4 mOhm a 50A, 10V0.4mOhm a 150A, 10V0.4mOhm a 30A, 10V0.42mOhm a 50A, 10V0.45mOhm a 30A, 10V0.45mOhm a 50A, 10V0.45mOhm a 60A, 4.5V0.47mOhm a 20A, 10V0.48 mOhm a 50A, 10V0.52mOhm a 20A, 10V0.52mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA (mín.)450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)450mV a 2mA (mín.)500mV a 250µA (mín.)500mV a 250µA570mV a 1mA (típico)600mV a 1.2mA (mín.)600mV a 11µA600mV a 1mA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.35 pC @ 4.5 V0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-20V-15V-12V-10V-8V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+0.6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5 pF @ 25 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
Característica de FET
-Detección de corrienteDiodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)Diodo de detección de temperaturaEstándarModo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
950µW (Ta)1.9mW (Ta)20mW100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
2-HWSON (5x4)2-PQFN (8x8)3-CP3-CPH3-DFN (0.6x1)3-DFN (1.0 x 0.60)3-DFN (1x0.6)3-FCLGA (3.2x2.2)3-LDPAK3-LGA (0.73x0.64)3-LGA (4.1x8)3-MCPH
Paquete / Caja (carcasa)
2-PowerTSFNPlaca descubierta 2-DFN3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, conductores planos3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3 variante3-SMD, conductor plano3-SMD, conductores planos3-SMD, no estándar
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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43.600Resultados
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Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
26.253
En stock
1 : 1,18000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,50322 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V1.7 A (Ta)5V65mOhm a 1A, 5V2.5V a 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
1.071.639
En stock
1 : 1,18000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,50322 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V1.7 A (Ta)5V550mOhm a 100mA, 5V2.5V a 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
217.833
En stock
1 : 1,18000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,50322 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V500mA (Ta)5V3.3Ohm a 50mA, 5V2.5V a 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2051
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
16.082
En stock
1 : 1,22000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,51682 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V1.7 A (Ta)5V25mOhm a 3A, 5V2.5V a 1.5mA2.1 nC @ 5 V+6V, -4V258 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
EPC
72.707
En stock
1 : 1,55000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,65904 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NGaNFET (Nitrito de galio)80 V6.8 A (Ta)5V25mOhm a 6A, 5V2.5V a 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
154.757
En stock
1 : 1,46000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,66885 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V8.2 A (Ta)5V13.5mOhm a 11A, 5V2.5V a 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
30.706
En stock
1 : 1,64000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,82343 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V3 A (Ta)5V43mOhm a 1A, 5V2.5V a 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
41.713
En stock
1 : 1,98000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,90492 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V6 A (Ta)5V30mOhm a 6A, 5V2.5V a 1.2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
19.003
En stock
1 : 1,98000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 0,90492 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V4 A (Ta)5V160mOhm a 500mA, 5V2.5V a 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
44.726
En stock
1 : 2,34000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,07241 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V29 A (Ta)5V6mOhm a 16A, 5V2.5V a 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
29.743
En stock
1 : 2,35000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,07541 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)40 V29 A (Ta)5V3.6mOhm a 15A, 5V2.5V a 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VEstándar--40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
26.841
En stock
1 : 2,55000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,16721 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V5 A (Ta)5V100mOhm a 3A, 5V2.5V a 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
65.486
En stock
1 : 2,69000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,23278 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)80 V18 A (Ta)5V17mOhm a 11A, 5V2.5V a 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
156.259
En stock
1 : 2,75000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,25901 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V18 A (Ta)5V13.5mOhm a 11A, 5V2.5V a 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
24.613
En stock
1 : 2,99000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,49877 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V14 A (Ta)5V22mOhm a 14A, 5V2.5V a 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
6.337
En stock
1 : 3,09000 €
Cinta cortada (CT)
1.000 : 1,63205 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)80 V60 A (Ta)5V3.6mOhm a 25A, 5V2.5V a 7mA12.2 nC @ 5 V+6V, -4V1449 pF @ 40 VEstándar--40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
108.108
En stock
1 : 3,40000 €
Cinta cortada (CT)
1.000 : 1,79526 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V8.5 A (Ta)5V42mOhm a 7A, 5V2.5V a 1.5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
46.624
En stock
1 : 3,64000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 1,82608 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V16 A (Ta)5V7mOhm a 16A, 5V2.5V a 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
EPC
32.127
En stock
1 : 4,12000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 2,06727 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo----------------
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
19.021
En stock
1 : 4,27000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 2,14479 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)40 V53 A (Ta)5V4mOhm a 33A, 5V2.5V a 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
99.310
En stock
1 : 4,35000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 2,18355 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V36 A (Ta)5V7mOhm a 25A, 5V2.5V a 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
20.326
En stock
1 : 5,75000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 2,85541 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V32 A (Ta)5V8mOhm a 20A, 5V2.5V a 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
9.901
En stock
1 : 6,38000 €
Cinta cortada (CT)
2.500 : 3,20426 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V22 A (Ta)5V25mOhm a 12A, 5V2.5V a 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2066
EPC2066
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
EPC
9.755
En stock
1 : 5,78000 €
Cinta cortada (CT)
1.000 : 3,27868 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)40 V90 A (Ta)5V1.1mOhm a 50A, 5V2.5V a 28mA33 nC @ 5 V+6V, -4V4523 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
64.291
En stock
1 : 5,84000 €
Cinta cortada (CT)
1.000 : 3,30990 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V60 A (Ta)5V3.2mOhm a 25A, 5V2.5V a 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
Demostración
de 43.600

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.