FET simple, MOSFET

Resultados : 41.317
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCharter Engineering Inc.Coherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPC
Serie
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™BSS
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)SiCFET (Carburo de silicio)SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
-60 V-40 V-30 V-20 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0.35V0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 3V1.2V, 4.5V1.2V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.29mOhm a 50A, 10V0.3mOhm a 200A, 10V0.35mOhm a 50A, 10V0.4 mOhm a 50A, 10V0.4mOhm a 150A, 10V0.4mOhm a 30A, 10V0.42mOhm a 50A, 10V0.44mOhm a 88A, 10V0.45mOhm a 30A, 10V0.45mOhm a 30A, 7V0.45mOhm a 50A, 10V0.45mOhm a 60A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
-2.5V @ 250µA-2.0V @ 250µA-1.2V @ -250µA-1V @ -250µA0.4V @ 250µA400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA (mín.)450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)450mV a 2mA (mín.)500mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+0.6V, -12V+2V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V
Característica de FET
-Detección de corrienteDiodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)Diodo de detección de temperaturaModo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
400µW (Ta)400µW100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C
Grado
-Uso automotrizUsos militares
Calificación
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0.6x1)3-DFN (1.0 x 0.60)3-DFN (1x0.6)3-FCLGA (3.2x2.2)3-LGA (0.73x0.64)3-LGA (4.1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa)
Placa descubierta 2-DFN3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, conductores planos3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3 variante3-SMD, conductor plano3-SMD, conductores planos3-SMD, no estándar
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
27.257
En stock
1 : 0,16000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,02719 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1.33W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
652.003
En stock
1 : 0,18000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03129 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V115mA (Ta)5V, 10V7.5Ohm a 50mA, 5V2.5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
29.525
En stock
1 : 0,19000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03257 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V200mA (Ta)10V3.5Ohm a 220mA, 10V1.5V a 250µA-±20V50 pF @ 10 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
84.235
En stock
1 : 0,20000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03360 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V320mA (Ta)4.5V, 10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.3V a 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1.480.010
En stock
1 : 0,21000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03504 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V200mA (Ta)1.2V, 2.5V1.2Ohm a 100mA, 2.5V1V a 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montaje en superficieEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
699.816
En stock
1 : 0,21000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03525 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)50 V180mA (Ta)10V7.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1.14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
493.378
En stock
1 : 0,21000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03648 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V260mA (Ta)4.5V, 10V2.5Ohm a 240mA, 10V2.5V a 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.195.972
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,02917 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
674.258
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03790 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
532.699
En stock
75.000
Fábrica
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03689 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V350mA (Ta)2.5V, 10V2.8Ohm a 250mA, 10V1.5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
463.831
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03792 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)50 V130mA (Ta)5V10Ohm a 100mA, 5V2V a 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
61.545
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,02854 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V400mA (Ta)4.5V, 10V1.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieCST3SC-101, SOT-883
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
3.124
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03689 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V260mA (Ta)4.5V, 10V2.5Ohm a 240mA, 10V2.6V a 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4.906.217
En stock
1 : 0,23000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04186 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V800mA (Ta)1.5V, 4.5V235mOhm a 800mA, 4.5V1V a 1mA1 nC @ 4.5 V±8V55 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montaje en superficieSSMSC-75, SOT-416
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
848.614
En stock
1 : 0,23000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03873 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 300mA, 10V1.5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1.14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
835.609
En stock
1 : 0,23000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03916 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V200mA (Ta)0.9V, 4.5V2.2Ohm a 200mA, 4.5V800mV a 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montaje en superficieUMT3FSC-85
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
793.704
En stock
1 : 0,23000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,06926 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V6.5 A (Ta)1.8V, 4.5V22mOhm a 6.5A, 4.5V1V a 250µA16 nC @ 4.5 V±8V1160 pF @ 10 V-1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-33-SMD, SOT-23-3 variante
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
20.758
En stock
1 : 0,24000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,03139 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V350mA (Ta)5V, 10V2.8Ohm a 200mA, 10V2.1V a 250µA1 nC @ 10 V±20V23.6 pF @ 10 V-350mW (Ta), 3.1W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-883SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
826.852
En stock
1 : 0,25000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04182 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V350mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
729.213
En stock
Este producto tiene un límite de compra máximo.
1 : 0,25000 €
Cinta cortada (CT)
8.000 : 0,03898 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.2V, 4.5V3.5Ohm a 100mA, 4.5V1V a 100µA-±8V7.1 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montaje en superficieVMT3SOT-723
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
262.140
En stock
1 : 0,25000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04122 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V170mA (Ta)10V6Ohm a 170mA, 10V2V a 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
132.931
En stock
1 : 0,25000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04164 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V115mA (Tc)5V, 10V7.5Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3421E
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1.127.176
En stock
1 : 0,26000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,05633 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V3 A (Ta)4.5V, 10V95mOhm a 3A, 10V2.5V a 250µA8 nC @ 10 V±20V215 pF @ 15 V-1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-33-SMD, SOT-23-3 variante
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
977.046
En stock
1 : 0,26000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04390 €
Cinta y rollo (TR)
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Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V320mA (Ta)10V1.6Ohm a 300mA, 10V1.5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
853.393
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Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
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ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V300mA (Ta)4.5V, 10V2Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 41.317

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.