Transistores - FET, MOSFET - Individual

Resultados : 34.563
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorGaNPowerGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorHoneywell AerospaceInfineon Technologies
Borrar
Serie
-*AlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7AAutomotive, AEC-Q101, CoolSiC™
Borrar
Embalaje
-BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Borrar
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoPreliminarÚltima compra
Borrar
Tipo FET
-Canal NCanal P
Borrar
Tecnología
-GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)SiCFET (Carburo de silicio)SiCFET (Cascode SiCJFET)
Borrar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1.2 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V
Borrar
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)14mA21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)45mA (Ta)
Borrar
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V0.35V0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 3V1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.2V, 5V1.3V, 4.5V1.5V
Borrar
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.4 mOhm a 50A, 10V0.4mOhm a 150A, 10V0.4mOhm a 30A, 10V0.42mOhm a 50A, 10V0.45mOhm a 30A, 10V0.45mOhm a 50A, 10V0.45mOhm a 60A, 4.5V0.47mOhm a 20A, 10V0.48 mOhm a 50A, 10V0.52mOhm a 20A, 10V0.52mOhm a 30A, 10V0.53mOhm a 20A, 10V0.55mOhm a 25A, 10V
Borrar
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA (mín.)400mV a 250µA450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)450mV a 250µA450mV a 2mA (mín.)500mV a 250µA (mín.)500mV a 250µA570mV a 1mA600mV a 1.2mA (mín.)600mV a 1mA (mín.)
Borrar
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
Borrar
Vgs (máx.)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+0.6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V±5V
Borrar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1.21 pF @ 150 V1.33 pF @ 400 V1.37 pF @ 800 V1.86 pF @ 15 V2.05 pF @ 30 V2.3 pF @ 15 V2.8 pF @ 30 V3.4 pF @ 25 V3.4 pF @ 30 V3.5 pF @ 15 V3.5 pF @ 30 V
Borrar
Característica de FET
-Detección de corrienteDiodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)Diodo de detección de temperaturaEstándarModo de exclusiónSúper empalme
Borrar
Disipación de potencia (Máx.)
1.9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW170mW (Ta)
Borrar
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)
Borrar
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Borrar
Paquete del dispositivo del proveedor
2-HWSON (5x4)2-PQFN (8x8)3-CP3-CPH3-DFN (0.6x1)3-DFN (1.0 x 0.60)3-LGA (0.73x0.64)3-LGA (4.1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP3-PQFN (5x6)
Borrar
Paquete / Caja (carcasa)
2-PowerTSFN3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, conductores planos3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, conductor plano3-SMD, conductores planos3-SMD, no estándar3-SMD, sin conductor3-UDFN3-UFDFN
Borrar
Opciones de almacenamiento
Medios de comunicación
Opciones ambientales
PRODUCTO DEL MERCADO
Resultados por página
25
Página 1/1383
Comparar
Número de parte del fabricante
Precio
Stock
Proveedor
Fabricante
Cantidad mínima
N.º de pieza de DK
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
0,81000 €
305.673: inmediato
EPCEPC
1
917-1100-2-ND
917-1100-1-ND
917-1100-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V1.7 A (Ta)5V65mOhm a 1A, 5V2.5V a 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
1,12000 €
71.548: inmediato
EPCEPC
1
917-1153-2-ND
917-1153-1-ND
917-1153-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)15 V3.4 A (Ta)5V30mOhm a 1.5A, 5V2.5V a 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
1,12000 €
281.377: inmediato
EPCEPC
1
917-1138-2-ND
917-1138-1-ND
917-1138-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V500mA (Ta)5V3.3Ohm a 50mA, 5V2.5V a 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
1,57000 €
39.497: inmediato
EPCEPC
1
917-1147-2-ND
917-1147-1-ND
917-1147-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)80 V6.8 A (Ta)5V25mOhm a 6A, 5V2.5V a 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
1,71000 €
69.705: inmediato
EPCEPC
1
917-1202-2-ND
917-1202-1-ND
917-1202-6-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V8.2 A (Ta)5V13.5mOhm a 11A, 5V2.5V a 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
1,96000 €
27.950: inmediato
EPCEPC
1
917-1086-2-ND
917-1086-1-ND
917-1086-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V4 A (Ta)5V160mOhm a 500mA, 5V2.5V a 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
2,06000 €
64.741: inmediato
EPCEPC
1
917-1081-2-ND
917-1081-1-ND
917-1081-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V6 A (Ta)5V30mOhm a 6A, 5V2.5V a 1.2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieBosquejo de moldes (barra de soldadura 5)Molde
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
2,41000 €
38.101: inmediato
EPCEPC
1
917-1223-2-ND
917-1223-1-ND
917-1223-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V29 A (Ta)5V6mOhm a 16A, 5V2.5V a 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
2,41000 €
42.297: inmediato
EPCEPC
1
917-1186-2-ND
917-1186-1-ND
917-1186-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V16 A (Ta)5V7mOhm a 16A, 5V2.5V a 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
2,56000 €
17.644: inmediato
EPCEPC
1
917-EPC2055TR-ND
917-EPC2055CT-ND
917-EPC2055DKR-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)40 V29 A (Ta)5V3.6mOhm a 15A, 5V2.5V a 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VEstándar--40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
2,66000 €
22.275: inmediato
EPCEPC
1
917-1084-2-ND
917-1084-1-ND
917-1084-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V5 A (Ta)5V100mOhm a 3A, 5V2.5V a 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieBosquejo de moldes (barra de soldadura 4)Molde
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
2,88000 €
193.724: inmediato
EPCEPC
1
917-1211-2-ND
917-1211-1-ND
917-1211-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V18 A (Ta)5V13.5mOhm a 11A, 5V2.5V a 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
2,86000 €
26.947: inmediato
EPCEPC
1
917-1118-2-ND
917-1118-1-ND
917-1118-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)65 V2 A (Ta)5V530mOhm a 500mA, 5V2.5V a 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
3,09000 €
15.684: inmediato
EPCEPC
1
917-EPC2207TR-ND
917-EPC2207CT-ND
917-EPC2207DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V14 A (Ta)5V22mOhm a 14A, 5V2.5V a 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
3,53000 €
728: inmediato
EPCEPC
1
917-1087-2-ND
917-1087-1-ND
917-1087-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V8.5 A (Ta)5V42mOhm @ 7A, 5V2.5V a 1.5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
4,35000 €
41.497: inmediato
EPCEPC
1
917-EPC2218TR-ND
917-EPC2218CT-ND
917-EPC2218DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V60 A (Ta)5V3.2mOhm a 25A, 5V2.5V a 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
4,51000 €
95.380: inmediato
EPCEPC
1
917-1079-2-ND
917-1079-1-ND
917-1079-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V36 A (Ta)5V7mOhm a 25A, 5V2.5V a 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieBosquejo de moldes (barra de soldadura 11)Molde
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
4,35000 €
30.727: inmediato
EPCEPC
1
917-1204-2-ND
917-1204-1-ND
917-1204-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)100 V48 A (Ta)5V3.8mOhm a 25A, 5V2.5V a 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
4,66000 €
22.176: inmediato
EPCEPC
1
917-1083-2-ND
917-1083-1-ND
917-1083-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)40 V53 A (Ta)5V4mOhm a 33A, 5V2.5V a 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
5,89000 €
20.179: inmediato
EPCEPC
1
917-1218-2-ND
917-1218-1-ND
917-1218-6-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V32 A (Ta)5V8mOhm a 20A, 5V2.5V a 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
6,31000 €
11.589: inmediato
EPCEPC
1
917-1085-2-ND
917-1085-1-ND
917-1085-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)200 V22 A (Ta)5V25mOhm a 12A, 5V2.5V a 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieBosquejo de moldes (barra de soldadura 7)Molde
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
6,17000 €
109.922: inmediato
EPCEPC
1
917-1212-2-ND
917-1212-1-ND
917-1212-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)80 V90 A (Ta)5V2.2mOhm a 29A, 5V2.5V a 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
SCT2xxxNYTB
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
5,58000 €
800: inmediato
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
SCT2H12NYTBTR-ND
SCT2H12NYTBCT-ND
SCT2H12NYTBDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NSiCFET (Carburo de silicio)1700 V4 A (Tc)18V1.5Ohm a 1.1A, 18V4V a 410µA14 nC @ 18 V+22V, -6V184 pF @ 800 V-44W (Tc)175°C (TJ)Montaje en superficieTO-268TO-268-2, D³Pak (2 conductores + lengüeta), TO-268AA
eGaN Series
EPC2031
GANFET NCH 60V 31A DIE
6,35000 €
18.936: inmediato
EPCEPC
1
917-1151-2-ND
917-1151-1-ND
917-1151-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)60 V31 A (Ta)-2.6mOhm a 30A, 5V2.5V a 15mA17 nC @ 5 V-1800 pF @ 300 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
eGaN Series
EPC2029
GANFET N-CH 80V 48A DIE
6,45000 €
17.574: inmediato
EPCEPC
1
917-1107-2-ND
917-1107-1-ND
917-1107-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NGaNFET (Nitrito de galio)80 V48 A (Ta)5V3.2mOhm @ 30A, 5V2.5V a 12mA13 nC @ 5 V+6V, -4V1410 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
Resultados por página
25
Página 1/1383