Name: DMN63D8L-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN63D8L-7DITR-ND
Price: 0.2178 EUR
Availability: InStock

DMN63D8L-7
N.º de producto de DigiKey	DMN63D8L-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN63D8L-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN63D8L-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN63D8L-7
Descripción	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 350mA (Ta) 350mW (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMN63D8L-7 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	350mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.8Ohm a 250mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	23.2 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	DMN63

Precio unitario sin IVA:	0,18000 €
Precio unitario con IVA:	0,21780 €

DMN63D8L-7