Name: 2N7002ET1G
Brand: onsemi
SKU: 2N7002ET1GOSTR-ND
Price: 0.1815 EUR
Availability: InStock

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2N7002ET1G
N.º de producto de DigiKey	2N7002ET1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) 2N7002ET1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) 2N7002ET1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	2N7002ET1G
Descripción	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 260mA (Ta) 300mW (Tj) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	2N7002ET1G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	260mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.5Ohm a 240mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.81 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	26.7 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	300mW (Tj)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	2N7002