


NTH4L014N120M3P | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 5556-NTH4L014N120M3P-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NTH4L014N120M3P |
Descripción | SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 127H (Tc) 686W (Tc) TO-247-4L |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.63V a 37mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 329 nC @ 18 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) +22V, -10V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6230 pF @ 800 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 686W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-4L |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 20mOhm a 74A, 18V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMWSH120H18HM4 | Diodes Incorporated | 20 | 31-DMWSH120H18HM4-ND | 26,71000 € | Similar |
| DMWSH120H18HM4Q | Diodes Incorporated | 30 | 31-DMWSH120H18HM4Q-ND | 32,95000 € | Similar |
| DMWSH120H23SM4 | Diodes Incorporated | 30 | 31-DMWSH120H23SM4-ND | 25,80000 € | Similar |
| DMWSH120H28SM4 | Diodes Incorporated | 25 | 31-DMWSH120H28SM4-ND | 25,80000 € | Similar |
| IMYR140R008M2HXLSA1 | Infineon Technologies | 239 | 448-IMYR140R008M2HXLSA1-ND | 40,77000 € | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 26,95000 € | 26,95 € |
| 10 | 19,74500 € | 197,45 € |
| 450 | 15,77796 € | 7.100,08 € |
| Precio unitario sin IVA: | 26,95000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 32,60950 € |



