Name: IMYR140R008M2HXLSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYR140R008M2HXLSA1-ND
Price: 37.4616 EUR
Availability: OutOfStock

Nuevo producto

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IMYR140R008M2HXLSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMYR140R008M2HXLSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMYR140R008M2HXLSA1
Descripción	SIC DISCRETE
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1.4 kV 207H (Tc) 710W (Tc) PG-TO247-4-18
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1.4 kV
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	207H (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.5mOhm a 92.6A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.1V a 29.1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	203 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6450 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	710W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-4-18
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	30,96000 €	30,96 €
30	20,47900 €	614,37 €
120	20,39000 €	2.446,80 €

Paquete estándar del fabricante

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