SiCFET (Carburo de silicio) FET simple, MOSFET

Demostración

de 1.424

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IMBF170R1K0M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 Infineon Technologies	3.612 En stock	1 : 4,21000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 1,52985 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	5.2A (Tc)	12V, 15V	1000mOhm a 1A, 15V	5.7V a 1.1mA	5 nC @ 12 V	+20V, -10V	275 pF @ 1000 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-13	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
MSC750SMA170B SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3 Microchip Technology	485 En stock	1 : 4,66000 € Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	7A (Tc)	20V	940mOhm a 2.5A, 20V	3.25V a 100µA (típico)	11 nC @ 20 V	+23V, -10V	184 pF @ 1360 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
MSC750SMA170B4 TRANS SJT 1700V TO247-4 Microchip Technology	156 En stock	1 : 4,81000 € Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	7A (Tc)	20V	940mOhm a 2.5A, 20V	3.25V a 100µA (típico)	11 nC @ 20 V	+23V, -10V	184 pF @ 1360 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4	TO-247-4
IMBF170R650M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 Infineon Technologies	1.599 En stock	1 : 4,85000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 1,86987 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	7.4A (Tc)	12V, 15V	650mOhm a 1.5A, 15V	5.7V a 1.7mA	8 nC @ 12 V	+20V, -10V	422 pF @ 1000 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-13	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBF170R450M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 Infineon Technologies	2.256 En stock	1 : 5,76000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 2,36021 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	9.8A (Tc)	12V, 15V	450mOhm a 2A, 15V	5.7V a 2.5mA	11 nC @ 12 V	+20V, -10V	610 pF @ 1000 V	-	107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-13	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT2H12NZGC11 SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM Rohm Semiconductor	616 En stock	1 : 5,91000 € Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	3.7A (Tc)	18V	1.5Ohm a 1.1A, 18V	4V a 900µA	14 nC @ 18 V	+22V, -6V	184 pF @ 800 V	-	35W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-3PFM	TO-3PFM, SC-93-3
SCT3080ALGC11 SICFET N-CH 650V 30A TO247N Rohm Semiconductor	544 En stock	1 : 6,04000 € Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	30A (Tc)	18V	104mOhm a 10A, 18V	5.6V a 5mA	48 nC @ 18 V	+22V, -4V	571 pF @ 500 V	-	134W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
G3R160MT12J-TR 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF GeneSiC Semiconductor	2.260 En stock	1 : 6,22000 € Cinta cortada (CT) 800 : 4,67230 € Cinta y rollo (TR)	G3R™, LoRing™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	19A (Tc)	15V, 18V	180mOhm a 10A, 18V	2.7V a 5mA	23 nC @ 15 V	+22V, -10V	724 pF @ 800 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBG120R078M2HXTMA1 SICFET N-CH 1200V 29A TO263 Infineon Technologies	1.030 En stock	1 : 6,24000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 2,59390 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™ G2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	29A (Tc)	15V, 18V	78.1mOhm a 8.9A, 18V	5.1V a 2.8mA	20.6 nC @ 18 V	+23V, -10V	700 pF @ 800 V	-	158W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0350120D SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 Wolfspeed, Inc.	850 En stock	1 : 6,37000 € Tubo	C3M™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	7.6A (Tc)	15V	455mOhm a 3.6A, 15V	3.6V a 1mA	19 nC @ 15 V	+15V, -4V	345 pF @ 1000 V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
IMBG65R040M2HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	916 En stock	1 : 7,17000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 3,65940 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™ Gen 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	49A (Tc)	15V, 20V	49mOhm a 22.9A, 18V	5.6V a 4.6mA	28 nC @ 18 V	+23V, -7V	997 pF @ 400 V	-	197W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBG120R053M2HXTMA1 SICFET N-CH 1200V 41A TO263 Infineon Technologies	2.181 En stock	1 : 7,41000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 3,25538 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™ G2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	41A (Tc)	15V, 18V	52.6mOhm a 13.2A, 18V	5.1V a 4.1mA	30 nC @ 18 V	+23V, -10V	1010 pF @ 800 V	-	205W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT3120ALGC11 SICFET N-CH 650V 21A TO247N Rohm Semiconductor	3.858 En stock	1 : 8,33000 € Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	21A (Tc)	18V	156mOhm a 6.7A, 18V	5.6V a 3.33mA	38 nC @ 18 V	+22V, -4V	460 pF @ 500 V	-	103W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
G3R60MT07K 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET GeneSiC Semiconductor	1.052 En stock	1 : 8,92000 € Tubo	G3R™	Tubo	Activo	-	SiCFET (Carburo de silicio)	750 V	-	-	-	-	-	+20V, -10V	-	-	-	-	-	-	Orificio pasante	TO-247-4	TO-247-4
G3R75MT12D SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3 GeneSiC Semiconductor	2.034 En stock	1 : 9,00000 € Tubo	G3R™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	41A (Tc)	15V	90mOhm a 20A, 15V	2.69V a 7.5mA	54 nC @ 15 V	+22V, -10V	1560 pF @ 800 V	-	207W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NTHL040N120M3S SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3 onsemi	900 En stock 252.000 Fábrica	1 : 9,44000 € Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	54A (Tc)	18V	54mOhm a 20A, 18V	4.4V a 10mA	75 nC @ 18 V	+22V, -10V	1700 pF @ 800 V	-	231W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
AIMCQ120R060M1TXTMA1 SIC_DISCRETE Infineon Technologies	2.487 En stock	1 : 9,48000 € Cinta cortada (CT) 750 : 4,50965 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	44A (Tc)	18V, 20V	75mOhm a 13A, 20V	5.1V a 4.3mA	32 nC @ 20 V	+25V, -10V	880 pF @ 800 V	-	259W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-HDSOP-22	Módulo 22-PowerBSOP
NVBG160N120SC1 SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK onsemi	1.177 En stock	1 : 10,07000 € Cinta cortada (CT) 800 : 5,12056 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	19.5A (Tc)	20V	224mOhm a 12A, 20V	4.3V a 2.5mA	33.8 nC @ 20 V	+25V, -15V	678 pF @ 800 V	-	136W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0060065J SICFET N-CH 650V 36A TO263-7 Wolfspeed, Inc.	2.769 En stock	1 : 10,10000 € Tubo	C3M™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	36A (Tc)	15V	79mOhm a 13.2A, 15V	3.6V a 5mA	46 nC @ 15 V	+15V, -4V	1020 pF @ 600 V	-	136W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4062KW7HRTL 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	3.669 En stock	1 : 10,29000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 7,32991 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	24A (Tc)	18V	81mOhm a 12A, 18V	4.8V a 6.45mA	64 nC @ 18 V	+21V, -4V	1498 pF @ 800 V	-	93W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
NTHL060N090SC1 SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 onsemi	2.653 En stock 33.300 Fábrica	1 : 10,38000 € Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	900 V	46A (Tc)	15V	84mOhm a 20A, 15V	4.3V a 5mA	87 nC @ 15 V	+19V, -10V	1770 pF @ 450 V	-	221W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
G3R160MT17D SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3 GeneSiC Semiconductor	618 En stock	1 : 10,49000 € Tubo	G3R™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	21A (Tc)	15V	208mOhm a 12A, 15V	2.7V a 5mA	51 nC @ 15 V	±15V	1272 pF @ 1000 V	-	175W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
IMW65R027M1HXKSA1 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Infineon Technologies	1.087 En stock	1 : 10,91000 € Tubo	CoolSIC™ M1	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	47A (Tc)	18V	34mOhm a 38.3A, 18V	5.7V a 11mA	62 nC @ 18 V	+23V, -5V	2131 pF @ 400 V	-	189W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IMBG120R026M2HXTMA1 SICFET N-CH 1200V 75A TO263 Infineon Technologies	965 En stock	1 : 11,02000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 5,47815 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™ G2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	75A (Tc)	15V, 18V	25.4mOhm a 27.3A, 18V	5.1V a 8.6mA	60 nC @ 18 V	+23V, -10V	1990 pF @ 800 V	-	335W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0075120J SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 Wolfspeed, Inc.	3.589 En stock	1 : 11,04000 € Tubo	C3M™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	30A (Tc)	15V	90mOhm a 20A, 15V	4V a 5mA	51 nC @ 15 V	+19V, -8V	1350 pF @ 1000 V	-	113.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA

Demostración

de 1.424

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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