onsemi FET simple, MOSFET

Demostración

de 7.266

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Voltaje acoplado a carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Voltaje acoplado a capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
NTR4003NT3G MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 onsemi	102.339 En stock	1 : 0,11000 € Cinta cortada (CT) 10.000 : 0,03585 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	500mA (Ta)	2.5V, 4V	1.5Ohm a 10mA, 4V	1.4V a 250µA	1.15 nC @ 5 V	1.15 nC @ 5 V	-	±20V	21 pF @ 5 V	21 pF @ 5 V	-	-	690mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	129.867 En stock	1 : 0,14000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,04861 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm a 100mA, 5V	2V a 250µA	-	-	-	±20V	30 pF @ 5 V	30 pF @ 5 V	-	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	54.552 En stock	1 : 0,15000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02711 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	260mA (Ta)	4.5V, 10V	2.5Ohm a 240mA, 10V	2.5V a 250µA	0.81 nC @ 5 V	0.81 nC @ 5 V	-	±20V	26.7 pF @ 25 V	26.7 pF @ 25 V	-	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	139.782 En stock	1 : 0,16000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,02973 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	4.5V, 10V	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.3V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	0.7 nC @ 4.5 V	-	±20V	24.5 pF @ 20 V	24.5 pF @ 20 V	-	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTA7002NT1G MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 onsemi	136.513 En stock	1 : 0,18000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03673 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	154mA (Tj)	2.5V, 4.5V	7Ohm a 154mA, 4.5V	1.5V a 100µA	-	-	-	±10V	20 pF @ 5 V	20 pF @ 5 V	-	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	SC-75, SOT-416
NDS7002A MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23 onsemi	70.276 En stock	1 : 0,19000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,04547 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	280mA (Ta)	5V, 10V	2Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	-	-	-	±20V	50 pF @ 25 V	50 pF @ 25 V	-	-	300mW (Ta)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDV301N MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 onsemi	169.272 En stock	1 : 0,21000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,04197 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	220mA (Ta)	2.7V, 4.5V	4Ohm a 400mA, 4.5V	1.06V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	0.7 nC @ 4.5 V	-	±8V	9.5 pF @ 10 V	9.5 pF @ 10 V	-	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMBF170 MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23 onsemi	61.806 En stock 168.000 Fábrica	1 : 0,21000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,04460 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	500mA (Ta)	10V	5Ohm a 200mA, 10V	3V a 1mA	-	-	-	±20V	40 pF @ 10 V	40 pF @ 10 V	-	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123LT1G MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 onsemi	207.882 En stock	1 : 0,22000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,04635 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	170mA (Ta)	10V	6Ohm a 100mA, 10V	2.6V a 1mA	-	-	-	±20V	20 pF @ 25 V	20 pF @ 25 V	-	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 onsemi	387.959 En stock	1 : 0,24000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03848 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	170mA	4.5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	1.6V a 250µA	2.4 nC @ 10 V	2.4 nC @ 10 V	-	±20V	27 pF @ 25 V	27 pF @ 25 V	-	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138LT1G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	299.624 En stock	1 : 0,24000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,04110 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	5V	3.5Ohm a 200mA, 5V	1.5V a 1mA	-	-	-	±20V	50 pF @ 25 V	50 pF @ 25 V	-	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTR4501NT1G MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3 onsemi	273.071 En stock	1 : 0,27000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,06646 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	80mOhm a 3.6A, 4.5V	1.2V a 250µA	6 nC @ 4.5 V	6 nC @ 4.5 V	-	±12V	200 pF @ 10 V	200 pF @ 10 V	-	-	1.25W (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138K MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 onsemi	125.398 En stock	1 : 0,27000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,04110 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	220mA (Ta)	1.8V, 2.5V	1.6Ohm a 50mA, 5V	1.2V a 250µA	2.4 nC @ 10 V	2.4 nC @ 10 V	-	±12V	58 pF @ 25 V	58 pF @ 25 V	-	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTS4001NT1G MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3 onsemi	101.335 En stock	1 : 0,27000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,05509 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	270mA (Ta)	2.5V, 4V	1.5Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 100µA	1.3 nC @ 5 V	1.3 nC @ 5 V	-	±20V	33 pF @ 5 V	33 pF @ 5 V	-	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
2N7002K MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23 onsemi	9.787 En stock 3.000 Fábrica	1 : 0,27000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03935 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	4.5V, 10V	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.3V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	0.7 nC @ 4.5 V	-	±20V	24.5 pF @ 20 V	24.5 pF @ 20 V	-	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTA4153NT1G MOSFET N-CH 20V 915MA SC75 onsemi	92.544 En stock	1 : 0,29000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,03889 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	915mA (Ta)	1.5V, 4.5V	230mOhm a 600mA, 4.5V	1.1V a 250µA	1.82 nC @ 4.5 V	1.82 nC @ 4.5 V	-	±6V	110 pF @ 16 V	110 pF @ 16 V	-	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	SC-75, SOT-416
NVJS4151PT1G MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 onsemi	65.842 En stock	1 : 0,29000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,16203 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.2A (Ta)	1.5V, 4.5V	67mOhm a 2.9A, 4.5V	1.2V a 250µA	10 nC @ 4.5 V	10 nC @ 4.5 V	-	±12V	850 pF @ 10 V	850 pF @ 10 V	-	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SC-88/SC70-6/SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
BSS84 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	7.314 En stock	1 : 0,29000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,06841 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	4.5V, 10V	8Ohm a 150mA, 10V	2V a 250µA	1.3 nC @ 5 V	1.3 nC @ 5 V	-	±20V	73 pF @ 25 V	73 pF @ 25 V	-	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDV303N MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23 onsemi	719.567 En stock 1.830.000 Fábrica	1 : 0,30000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,05859 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	680mA (Ta)	2.7V, 4.5V	450mOhm a 500mA, 4.5V	1.5V a 250µA	2.3 nC @ 4.5 V	2.3 nC @ 4.5 V	-	±8V	50 pF @ 10 V	50 pF @ 10 V	-	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 onsemi	534.057 En stock	1 : 0,30000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,05742 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	170mA	4.5V, 10V	5Ohm a 200mA, 10V	2V a 250µA	1.8 nC @ 10 V	1.8 nC @ 10 V	-	±20V	14 pF @ 25 V	14 pF @ 25 V	-	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDV304P MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23 onsemi	81.761 En stock 510.000 Fábrica	1 : 0,32000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,08462 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	25 V	460mA (Ta)	2.7V, 4.5V	1.1Ohm a 500mA, 4.5V	1.5V a 250µA	1.5 nC @ 4.5 V	1.5 nC @ 4.5 V	-	±8V	63 pF @ 10 V	63 pF @ 10 V	-	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTNS3164NZT5G MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883 onsemi	91.858 En stock	1 : 0,33000 € Cinta cortada (CT) 8.000 : 0,07608 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	361mA (Ta)	1.5V, 4.5V	700mOhm a 200mA, 4.5V	1V a 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	0.8 nC @ 4.5 V	-	±8V	24 pF @ 10 V	24 pF @ 10 V	-	-	155mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)	3-XFDFN
BVSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	2.800 En stock	1 : 0,34000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,07560 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm a 100mA, 5V	2V a 250µA	2.2 nC @ 10 V	2.2 nC @ 10 V	-	±20V	36 pF @ 5 V	36 pF @ 5 V	-	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTMFS4C029NT1G MOSFET N-CH 30V 15A/46A 5DFN onsemi	28.200 En stock	1 : 0,36000 € Cinta cortada (CT) 1.500 : 0,10756 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	15A (Ta), 46A (Tc)	4.5V, 10V	5.88mOhm a 30A, 10V	2.2V a 250µA	18.6 nC @ 10 V	18.6 nC @ 10 V	-	±20V	987 pF @ 15 V	987 pF @ 15 V	-	-	2.49W (Ta), 23.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
FDN340P MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 onsemi	57.146 En stock	1 : 0,38000 € Cinta cortada (CT) 3.000 : 0,11432 € Cinta y rollo (TR)	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	2A (Ta)	2.5V, 4.5V	70mOhm a 2A, 4.5V	1.5V a 250µA	10 nC @ 4.5 V	10 nC @ 4.5 V	-	±8V	779 pF @ 10 V	779 pF @ 10 V	-	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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de 7.266

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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