Name: DMWSH120H28SM4
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H28SM4-ND
Price: 28.5197 EUR
Availability: InStock

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DMWSH120H28SM4
N.º de producto de DigiKey	31-DMWSH120H28SM4-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMWSH120H28SM4
Descripción	SICFET N-CH 1200V TO-247
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 100A (Tc) 429W (Tc) TO-247-4
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	28.5mOhm a 50A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	3.6V a 17.7mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	173.7 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	+19V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3944 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	429W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	23,57000 €	23,57 €
30	15,26433 €	457,93 €
120	15,05000 €	1.806,00 €

Paquete estándar del fabricante

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