Name: NTBG030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG030N120M3STR-ND
Price: 12.6445 EUR
Availability: InStock

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NTBG030N120M3S
N.º de producto de DigiKey	5556-NTBG030N120M3STR-ND - Cinta y rollo (TR) 5556-NTBG030N120M3SCT-ND - Cinta cortada (CT) 5556-NTBG030N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTBG030N120M3S
Descripción	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 77A (Tc) 348W (Tc) D2PAK-7
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTBG030N120M3S Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	77A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	39mOhm a 30A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.4V a 15mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	107 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2430 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	348W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA