TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA FET simple, MOSFET

Demostración

de 412

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IPB024N10N5ATMA1 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 Infineon Technologies	561 En stock	1 : 3,98000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 1,41700 € Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	180A (Tc)	6V, 10V	2.4mOhm a 90A, 10V	3.8V a 183µA	138 nC @ 10 V	±20V	10200 pF @ 50 V	-	250W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBF170R1K0M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 Infineon Technologies	2.526 En stock	1 : 4,24000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 1,54127 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	5.2A (Tc)	12V, 15V	1000mOhm a 1A, 15V	5.7V a 1.1mA	5 nC @ 12 V	+20V, -10V	275 pF @ 1000 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-13	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBF170R650M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 Infineon Technologies	1.524 En stock	1 : 4,89000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 1,86840 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	7.4A (Tc)	12V, 15V	650mOhm a 1.5A, 15V	5.7V a 1.7mA	8 nC @ 12 V	+20V, -10V	422 pF @ 1000 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-13	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBF170R450M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 Infineon Technologies	1.906 En stock	1 : 5,80000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 2,34937 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	9.8A (Tc)	12V, 15V	450mOhm a 2A, 15V	5.7V a 2.5mA	11 nC @ 12 V	+20V, -10V	610 pF @ 1000 V	-	107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-13	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
G3R160MT12J-TR 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF GeneSiC Semiconductor	2.260 En stock	1 : 6,27000 € Cinta cortada (CT) 800 : 4,70718 € Cinta y rollo (TR)	G3R™, LoRing™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	19A (Tc)	15V, 18V	180mOhm a 10A, 18V	2.7V a 5mA	23 nC @ 15 V	+22V, -10V	724 pF @ 800 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBG120R078M2HXTMA1 SICFET N-CH 1200V 29A TO263 Infineon Technologies	897 En stock	1 : 6,29000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 2,61280 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™ G2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	29A (Tc)	15V, 18V	78.1mOhm a 8.9A, 18V	5.1V a 2.8mA	20.6 nC @ 18 V	+23V, -10V	700 pF @ 800 V	-	158W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBG65R040M2HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	916 En stock	1 : 7,22000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 3,13620 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™ Gen 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	49A (Tc)	15V, 20V	49mOhm a 22.9A, 18V	5.6V a 4.6mA	28 nC @ 18 V	+23V, -7V	997 pF @ 400 V	-	197W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBG120R053M2HXTMA1 SICFET N-CH 1200V 41A TO263 Infineon Technologies	879 En stock	1 : 7,46000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 3,27968 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™ G2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	41A (Tc)	15V, 18V	52.6mOhm a 13.2A, 18V	5.1V a 4.1mA	30 nC @ 18 V	+23V, -10V	1010 pF @ 800 V	-	205W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UF3C120400B7S SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7 onsemi	964 En stock	1 : 7,47000 € Cinta cortada (CT) 800 : 3,28206 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	1200 V	7.6A (Tc)	12V	515mOhm a 5A, 12V	6V a 10mA	22.5 nC @ 15 V	±25V	739 pF @ 800 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UF3C170400B7S SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7 onsemi	5.193 En stock	1 : 9,18000 € Cinta cortada (CT) 800 : 4,30770 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	1700 V	7.6A (Tc)	12V	515mOhm a 5A, 12V	6V a 10mA	23.1 nC @ 15 V	±25V	734 pF @ 1200 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0060065J SICFET N-CH 650V 36A TO263-7 Wolfspeed, Inc.	2.758 En stock	1 : 10,17000 € Tubo	C3M™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	36A (Tc)	15V	79mOhm a 13.2A, 15V	3.6V a 5mA	46 nC @ 15 V	+15V, -4V	1020 pF @ 600 V	-	136W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4062KW7HRTL 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	3.669 En stock	1 : 10,36000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 7,38463 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	24A (Tc)	18V	81mOhm a 12A, 18V	4.8V a 6.45mA	64 nC @ 18 V	+21V, -4V	1498 pF @ 800 V	-	93W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
NVBG160N120SC1 SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK onsemi	1.177 En stock	1 : 10,51000 € Cinta cortada (CT) 800 : 5,13750 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	19.5A (Tc)	20V	224mOhm a 12A, 20V	4.3V a 2.5mA	33.8 nC @ 20 V	+25V, -15V	678 pF @ 800 V	-	136W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBG40R015M2HXTMA1 SIC-MOS Infineon Technologies	1.081 En stock	1 : 10,75000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 5,29092 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	400 V	11.7A (Ta), 111A (Tc)	15V, 18V	19.1mOhm a 27.1A, 18V	5.6V a 9.7mA	62 nC @ 18 V	+23V, -7V	2730 pF @ 200 V	-	3.8W (Ta), 341W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-11	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBG120R026M2HXTMA1 SICFET N-CH 1200V 75A TO263 Infineon Technologies	965 En stock	1 : 11,11000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 5,51904 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™ G2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	75A (Tc)	15V, 18V	25.4mOhm a 27.3A, 18V	5.1V a 8.6mA	60 nC @ 18 V	+23V, -10V	1990 pF @ 800 V	-	335W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0075120J SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 Wolfspeed, Inc.	3.569 En stock	1 : 11,12000 € Tubo	C3M™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	30A (Tc)	15V	90mOhm a 20A, 15V	4V a 5mA	51 nC @ 15 V	+19V, -8V	1350 pF @ 1000 V	-	113.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0075120J-TR SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7 Wolfspeed, Inc.	283 En stock	1 : 11,12000 € Cinta cortada (CT) 800 : 5,19300 € Cinta y rollo (TR)	C3M™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	30A (Tc)	15V	90mOhm a 20A, 15V	4V a 5mA	51 nC @ 15 V	+15V, -4V	1350 pF @ 1000 V	-	113.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
AIMBG120R040M1XTMA1 SICFET N-CH 1200V 54A TO-263 Infineon Technologies	1.164 En stock	1 : 11,59000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 5,83609 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	54A (Tc)	18V, 20V	50mOhm a 20A, 20V	5.1V a 6.4mA	43 nC @ 20 V	+25V, -10V	1264 pF @ 800 V	-	268W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-TO263-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0045065J1 650V 45 M SIC MOSFET Wolfspeed, Inc.	595 En stock	1 : 12,02000 € Tubo	C3M™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	47A (Tc)	15V	60mOhm a 17.6A, 15V	3.6V a 4.84mA	61 nC @ 15 V	+19V, -8V	1621 pF @ 400 V	-	147W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBG120R030M1HXTMA1 SICFET N-CH 1200V 56A TO263 Infineon Technologies	617 En stock	1 : 12,71000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 6,58020 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	56A (Tc)	-	41mOhm a 25A, 18V	5.7V a 11.5mA	63 nC @ 18 V	+18V, -15V	2290 pF @ 800 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBG120R022M2HXTMA1 SICFET N-CH 1200V 87A TO263 Infineon Technologies	848 En stock	1 : 12,98000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 6,75759 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™ G2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	87A (Tc)	15V, 18V	21.6mOhm a 32.1A, 18V	5.1V a 10.1mA	71 nC @ 18 V	+23V, -10V	2330 pF @ 800 V	-	385W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT040HU120G3AG AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics	193 En stock	1 : 14,30000 € Cinta cortada (CT) 600 : 7,65778 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	40A (Tc)	15V, 18V	54mOhm a 16A, 18V	4.2V a 5mA	54 nC @ 18 V	+18V, -5V	1329 pF @ 800 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	HU3PAK	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
AIMBG75R020M1HXTMA1 SICFET N-CH 750V 81A TO-263 Infineon Technologies	241 En stock	1 : 14,48000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 7,77891 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	750 V	81A (Tc)	15V, 20V	18mOhm a 34.1A, 20V	5.6V a 12.2mA	70 nC @ 18 V	+23V, -5V	2326 pF @ 500 V	-	326W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-TO263-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBG120R017M2HXTMA1 SICFET N-CH 1200V 107A TO263 Infineon Technologies	1.369 En stock	1 : 15,51000 € Cinta cortada (CT) 1.000 : 8,50262 € Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™ G2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	107A (Tc)	15V, 18V	17.1mOhm a 40.4A, 18V	5.1V a 12.7mA	89 nC @ 18 V	+23V, -10V	2910 pF @ 800 V	-	470W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UF3C120080B7S SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7 onsemi	1.471 En stock	1 : 15,52000 € Cinta cortada (CT) 800 : 8,50745 € Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	1200 V	28.8A (Tc)	-	105mOhm a 20A, 12V	6V a 10mA	23 nC @ 12 V	±25V	754 pF @ 100 V	-	190W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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