G2R50MT33K Navitas Semiconductor, Inc. | FET simple, MOSFET

Canal N Orificio pasante 3300 V 63A (Tc) 536W (Tc) TO-247-4

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G2R50MT33K
N.º de producto de DigiKey	1913-G2R50MT33K-ND
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de pieza del fabricante	G2R50MT33K
Descripción	3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 3300 V 63A (Tc) 536W (Tc) TO-247-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	G2R50MT33K Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 50mOhm a 40A, 20V
Fabricante Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 10mA (típico)
Serie G2R™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 340 nC @ 20 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +25V, -10V
Estado de pieza Obsoleto	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7301 pF @ 1000 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 536W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 3300 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 63A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-4
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-4

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1	245,91000 €	245,91 €
30	225,65167 €	6.769,55 €

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