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Producto del mercado
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
G2R1000MT33J | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 1913-G2R1000MT33J-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | G2R1000MT33J |
Descripción | SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 |
Plazo estándar del fabricante | 20 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 3300 V 4A (Tc) 74W (Tc) TO-263-7 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | G2R1000MT33J Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 3300 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 20V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 1.2Ohm a 2A, 20V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3.5V a 2mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 21 nC @ 20 V | |
Vgs (máx.) | +20V, -5V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 238 pF @ 1000 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 74W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263-7 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 20,50000 € | 20,50 € |
| 50 | 12,41800 € | 620,90 € |
| 100 | 12,14260 € | 1.214,26 € |
| Precio unitario sin IVA: | 20,50000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 24,80500 € |
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