Name: BSC12DN20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC12DN20NS3GATMA1TR-ND
Price: 1.9602 EUR
Availability: InStock

BSC12DN20NS3GATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSC12DN20NS3GATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSC12DN20NS3GATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSC12DN20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC12DN20NS3GATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) PG-TDSON-8-5
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC12DN20NS3GATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11.3A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	125mOhm a 5.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	680 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-5
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	BSC12DN20

Precio unitario sin IVA:	1,62000 €
Precio unitario con IVA:	1,96020 €

BSC12DN20NS3GATMA1