Name: IAUCN10S5L094DATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S5L094DATMA1TR-ND
Price: 2.1901 EUR
Availability: InStock

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IAUCN10S5L094DATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUCN10S5L094DATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUCN10S5L094DATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUCN10S5L094DATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUCN10S5L094DATMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 100V 66A (Tj) 96W (Tc) Montaje en superficie PG-TDSON-8-60
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUCN10S5L094DATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	66A (Tj)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.4mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 35µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2180pF a 50V
Potencia - Máx.	96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-60