Name: IAUTN08S5N012LATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND
Price: 7.1995 EUR
Availability: InStock

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IAUTN08S5N012LATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUTN08S5N012LATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUTN08S5N012LATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUTN08S5N012LATMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 80V 300A (Tj) 375W (Tc) Montaje en superficie PG-HSOF-8-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUTN08S5N012LATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	2 Canal N, drenaje común, fuente común
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	300A (Tj)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.15mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.3V a 275µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	24nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	15340pF a 40V
Potencia - Máx.	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-2