Name: DMT10H017LPD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H017LPD-13TR-ND
Price: 2.3595 EUR
Availability: InStock

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DMT10H017LPD-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMT10H017LPD-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMT10H017LPD-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMT10H017LPD-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT10H017LPD-13
Descripción	MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 100V 54.7A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Montaje en superficie PowerDI5060-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	54.7A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	17.4mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	28.6nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1986pF a 50V
Potencia - Máx.	2.2W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI5060-8
Número de producto base	DMT10