Name: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 8.1675 EUR
Availability: OutOfStock

MOSFET - Arreglos 100V 19H (Ta), 139H (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montaje en superficie PG-WHITFN-10-1

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ISG0616N10NM5HSCATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISG0616N10NM5HSCATMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Plazo estándar del fabricante	48 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 100V 19H (Ta), 139H (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montaje en superficie PG-WHITFN-10-1
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 4mOhm a 50A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 85µA
Serie OptiMOS™ 5	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 78nC a 10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4800pF a 50V
Estado de pieza Activo	Potencia - Máx. 3W (Ta), 167W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuración 2 canales N (medio puente)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V	Paquete / Caja (carcasa) 10-PowerWDFN
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 19H (Ta), 139H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-WHITFN-10-1