Name: SQSA80ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQSA80ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 2.0449 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SQSA80ENW-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQSA80ENW-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQSA80ENW-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQSA80ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQSA80ENW-T1_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Plazo estándar del fabricante	39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 18A (Tc) 62.5W (Tc) PowerPAK® 1212-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQSA80ENW-T1_GE3 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 21 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1358 pF @ 40 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 62.5W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 21mOhm a 10A, 10V	Número de producto base SQSA80
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA