Canal N Montaje en superficie 650 V 21A (Tc) 100W TO-263-7
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Canal N Montaje en superficie 650 V 21A (Tc) 100W TO-263-7
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
SCT3 Series 3rd Gen SiC MOSFETs in 7-pin D2PAK Package

SCT3120AW7TL

N.º de producto de DigiKey
846-SCT3120AW7TLTR-ND - Cinta y rollo (TR)
846-SCT3120AW7TLCT-ND - Cinta cortada (CT)
846-SCT3120AW7TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
SCT3120AW7TL
Descripción
SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
Plazo estándar del fabricante
27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 650 V 21A (Tc) 100W TO-263-7
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
21A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
156mOhm a 6.7A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
5.6V a 3.33mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
460 pF @ 500 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
100W
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Número de producto base
SCT3120
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta cortada (CT)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
19,11000 €9,11 €
106,91900 €69,19 €
1005,93560 €593,56 €
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1.0006,12253 €6.122,53 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:9,11000 €
Precio unitario con IVA:11,02310 €