La mentalidad progresista impulsa la evolución de las infraestructuras energéticas - onsemi

MOSFET EliteSiC de 650 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la compuerta. En consecuencia, los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

MOSFET EliteSiC de 900 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la compuerta. En consecuencia, los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

MOSFET EliteSiC de 1200 V

La nueva familia de MOSFET EliteSiC M3S de 1200 V está optimizada para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de forma fiable con control del voltaje de compuerta negativo y desactiva los picos en la compuerta. Esta familia tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con un accionamiento de compuerta de 18 V, pero también funciona bien con un controlador de compuerta de 15 V.

Diodos EliteSiC de 650 V

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de onsemi utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente de la temperatura y funcionamiento térmico excelente hace que el carburo de silicio sea la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, interferencia electromagnética (EMI) reducida, y un tamaño y un costo de sistema reducidos.

Diodos EliteSiC de 1200 V

onsemi presenta los MOSFET EliteSiC de 1200 V que utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. La baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la puerta. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

Diodos EliteSiC de 1700 V

Los diodos Schottky EliteSiC de 1700 V de onsemi utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente de la temperatura y funcionamiento térmico excelente hace que el carburo de silicio sea la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, interferencia electromagnética (EMI) reducida, y un tamaño y un costo de sistema reducidos.

Controladores EliteSiC

La empresa onsemi presenta el controlador simple de 6 A de alta velocidad y lado bajo serie NCx51705 diseñado para accionar principalmente transistores MOSFET EliteSiC. Para lograr las pérdidas de conducción más bajas posibles, el controlador es capaz de entregar el voltaje de compuerta máximo permitido al dispositivo MOSFET EliteSiC. Al proporcionar una corriente de pico alta durante el encendido y apagado, las pérdidas de conmutación también se minimizan. Para una confiabilidad mejorada, inmunidad dV/dt y un apagado aún más rápido, el NCx51705 puede utilizar su bomba de carga incorporada para generar un riel de voltaje negativo seleccionable por parte del usuario. Para aplicaciones aisladas, el NCx51705 también proporciona un riel de 5 V accesible externamente para alimentar el lado secundario de los optoaisladores digitales o de alta velocidad.

Controladores de compuerta de alta corriente aislados

La cartera de controladores de compuerta de onsemi incluye controladores de GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET de puente en H y MOSFET EliteSiC con y sin inversión, ideales para aplicaciones de conmutación.

Módulos de potencia y módulos híbridos EliteSiC

Características

1. Optimizado para un rendimiento superior
2. Menor resistencia térmica que los dispositivos discretos
3. Paquetes de fácil montaje que se ajustan a los terminales estándar de la industria

IGBT

Los IGBT de onsemi ofrecen un rendimiento óptimo al equilibrar las pérdidas VCE(sat) y Eoff y el sobreimpulso Vce de apagado controlable. También ofrecen la máxima fiabilidad y rendimiento gracias al coeficiente de temperatura positivo, el bajo voltaje de saturación (VCE(sat)), las bajísimas pérdidas por conmutación y conducción, y la rápida conmutación. Son muy adecuados para aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento y están diseñados y cualificados para aplicaciones industriales y automotrices.

Controladores de compuerta aislados galvánicamente

La cartera de controladores de compuerta de onsemi incluye controladores de GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET de puente en H y MOSFET EliteSiC con y sin inversión, ideales para aplicaciones de conmutación.

Amplificadores de detección de corriente

Los amplificadores de detección de corriente proporcionan información crítica que puede ayudar en las funciones de seguridad y diagnóstico de un sistema mediante la supervisión del consumo de corriente. Integran resistencias externas para una mayor precisión y un menor espacio, para admitir amplificadores operacionales independientes.

Amplificadores operacionales: detección de voltaje y corriente

Estas familias ofrecen operación de riel a riel, lo que brinda un rango dinámico más amplio. Los diferentes requisitos del sistema y una gama de 270 kHz a 10 MHz ofrecen a los diseñadores de sistemas flexibilidad en la selección del amplificador. También están disponibles en varios paquetes que ahorran espacio y cumplen con las limitaciones de potencia y espacio para los diseños de sistemas modernos.

Reguladores de voltaje (LDO)

Los reguladores lineales (LDO) proporcionan una solución óptima para los requisitos de diseño de bajo consumo, conscientes del espacio y de bajo ruido. La sencillez del diseño y los pocos componentes externos facilitan su integración en el producto final. Esta amplia cartera se caracteriza por su alta PSRR, bajo ruido, baja corriente de reposo (Iq), baja caída y amplio rango de voltaje de entrada. Como líder del mercado, proporcionamos piezas que ofrecen el mejor rendimiento de la industria con un diseño robusto y una fabricación de alta calidad. Las opciones de paquete incluyen desde el tamaño más pequeño de la industria hasta los paquetes de potencia más grandes, lo que proporciona una solución ideal para aplicaciones automotrices, industriales y de consumo.

Reguladores/Convertidores de CA-CC, CC-CC

La empresa onsemi dispone de carteras completas de controladores y reguladores de CA-CC y CC-CC fuera de línea, y de controladores del factor de potencia y del lado secundario que permiten una alta eficiencia en modo activo, un bajo consumo en modo de espera y la corrección del factor de potencia.

MOSFET EliteSiC de 650 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la compuerta. En consecuencia, los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

MOSFET EliteSiC de 900 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la compuerta. En consecuencia, los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

MOSFET EliteSiC de 1200 V

La nueva familia de MOSFET EliteSiC M3S de 1200 V está optimizada para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de forma fiable con control del voltaje de compuerta negativo y desactiva los picos en la compuerta. Esta familia tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con un accionamiento de compuerta de 18 V, pero también funciona bien con un controlador de compuerta de 15 V.

Diodos EliteSiC de 650 V

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de onsemi utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente de la temperatura y funcionamiento térmico excelente hace que el carburo de silicio sea la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, interferencia electromagnética (EMI) reducida, y un tamaño y un costo de sistema reducidos.

Diodos EliteSiC de 1200 V

onsemi presenta los MOSFET EliteSiC de 1200 V que utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. La baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la puerta. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

Diodos EliteSiC de 1700 V

Los diodos Schottky EliteSiC de 1700 V de onsemi utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente de la temperatura y funcionamiento térmico excelente hace que el carburo de silicio sea la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, interferencia electromagnética (EMI) reducida, y un tamaño y un costo de sistema reducidos.

Controladores EliteSiC

La empresa onsemi presenta el controlador simple de 6 A de alta velocidad y lado bajo serie NCx51705 diseñado para accionar principalmente transistores MOSFET EliteSiC. Para lograr las pérdidas de conducción más bajas posibles, el controlador es capaz de entregar el voltaje de compuerta máximo permitido al dispositivo MOSFET EliteSiC. Al proporcionar una corriente de pico alta durante el encendido y apagado, las pérdidas de conmutación también se minimizan. Para una confiabilidad mejorada, inmunidad dV/dt y un apagado aún más rápido, el NCx51705 puede utilizar su bomba de carga incorporada para generar un riel de voltaje negativo seleccionable por parte del usuario. Para aplicaciones aisladas, el NCx51705 también proporciona un riel de 5 V accesible externamente para alimentar el lado secundario de los optoaisladores digitales o de alta velocidad.

Controladores de compuerta de alta corriente aislados

La cartera de controladores de compuerta de onsemi incluye controladores de GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET de puente en H y MOSFET EliteSiC con y sin inversión, ideales para aplicaciones de conmutación.

Módulos de potencia y módulos híbridos EliteSiC

IGBT FS4 DE 650 V

Los IGBT de onsemi ofrecen un rendimiento óptimo al equilibrar las pérdidas VCE(sat) y Eoff y el sobreimpulso Vce de apagado controlable. También ofrecen la máxima fiabilidad y rendimiento gracias al coeficiente de temperatura positivo, el bajo voltaje de saturación (VCE(sat)), las bajísimas pérdidas por conmutación y conducción, y la rápida conmutación. Son muy adecuados para aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento y están diseñados y cualificados para aplicaciones industriales y automotrices.

Controladores de compuerta aislados galvánicamente

La cartera de controladores de compuerta de onsemi incluye controladores de GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET de puente en H y MOSFET EliteSiC con y sin inversión, ideales para aplicaciones de conmutación.

Reguladores/Convertidores de CA-CC, CC-CC

La empresa onsemi dispone de carteras completas de controladores y reguladores de CA-CC y CC-CC fuera de línea, y de controladores del factor de potencia y del lado secundario que permiten una alta eficiencia en modo activo, un bajo consumo en modo de espera y la corrección del factor de potencia.

CAN

Los transceptores con cable de onsemi son ideales para la conexión en red de vehículos, la conexión en red industrial, los sistemas electrónicos de puertas descentralizados, las unidades de control de carrocerías (BCU), la automatización de viviendas, edificios y procesos, la supervisión medioambiental y las aplicaciones de energía inteligentes. La cartera también incluye opciones calificadas AEC-Q101 y aptas para PPAP específicamente diseñadas y calificadas para aplicaciones de la industria del automóvil.

BLE

Con la conectividad inalámbrica Bluetooth® Low Energy, la RSL15 responde a la creciente demanda de seguridad de las aplicaciones industriales conectadas sin sacrificar el consumo de energía.

Controladores de gestión térmica

MOSFET EliteSiC de 650 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la compuerta. En consecuencia, los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

MOSFET EliteSiC de 900 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la compuerta. En consecuencia, los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

MOSFET EliteSiC de 1200 V

La nueva familia de MOSFET EliteSiC M3S de 1200 V está optimizada para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de forma fiable con control del voltaje de compuerta negativo y desactiva los picos en la compuerta. Esta familia tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con un accionamiento de compuerta de 18 V, pero también funciona bien con un controlador de compuerta de 15 V.

Diodos EliteSiC de 650 V

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de onsemi utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente de la temperatura y funcionamiento térmico excelente hace que el carburo de silicio sea la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, interferencia electromagnética (EMI) reducida, y un tamaño y un costo de sistema reducidos.

Diodos EliteSiC de 1200 V

onsemi presenta los MOSFET EliteSiC de 1200 V que utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. La baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la puerta. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

Diodos EliteSiC de 1700 V

Los diodos Schottky EliteSiC de 1700 V de onsemi utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente de la temperatura y funcionamiento térmico excelente hace que el carburo de silicio sea la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, interferencia electromagnética (EMI) reducida, y un tamaño y un costo de sistema reducidos.

Controladores EliteSiC

La empresa onsemi presenta el controlador simple de 6 A de alta velocidad y lado bajo serie NCx51705 diseñado para accionar principalmente transistores MOSFET EliteSiC. Para lograr las pérdidas de conducción más bajas posibles, el controlador es capaz de entregar el voltaje de compuerta máximo permitido al dispositivo MOSFET EliteSiC. Al proporcionar una corriente de pico alta durante el encendido y apagado, las pérdidas de conmutación también se minimizan. Para una confiabilidad mejorada, inmunidad dV/dt y un apagado aún más rápido, el NCx51705 puede utilizar su bomba de carga incorporada para generar un riel de voltaje negativo seleccionable por parte del usuario. Para aplicaciones aisladas, el NCx51705 también proporciona un riel de 5 V accesible externamente para alimentar el lado secundario de los optoaisladores digitales o de alta velocidad.

Controladores de compuerta de alta corriente aislados

La cartera de controladores de compuerta de onsemi incluye controladores de GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET de puente en H y MOSFET EliteSiC con y sin inversión, ideales para aplicaciones de conmutación.

Módulos de potencia y módulos híbridos EliteSiC

CAN

Los transceptores con cable de onsemi son ideales para la conexión en red de vehículos, la conexión en red industrial, los sistemas electrónicos de puertas descentralizados, las unidades de control de carrocerías (BCU), la automatización de viviendas, edificios y procesos, la supervisión medioambiental y las aplicaciones de energía inteligentes. La cartera también incluye opciones calificadas AEC-Q101 y aptas para PPAP específicamente diseñadas y calificadas para aplicaciones de la industria del automóvil.

BLE

Con la conectividad inalámbrica Bluetooth® Low Energy, la RSL15 responde a la creciente demanda de seguridad de las aplicaciones industriales conectadas sin sacrificar el consumo de energía.

Controladores de compuerta aislados galvánicamente

La cartera de controladores de compuerta de onsemi incluye controladores de GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET de puente en H y MOSFET EliteSiC con y sin inversión, ideales para aplicaciones de conmutación.

Aisladores digitales

Los aisladores digitales de onsemi utilizan una señal modulada de alta frecuencia para transmitir datos digitales de alta velocidad a través de una barrera de aislamiento capacitiva. A continuación, la señal se demodula al otro lado de la barrera y crea un transceptor de datos aislado de alto voltaje. Mediante el uso de la tecnología digital (p. ej. codificación/decodificación Manchester, seguimiento digital de parámetros), el aislador digital es capaz de mantener un rendimiento consistente a través de un amplio rango de temperaturas y durante la vida útil de la pieza.

Reguladores de CA/CC - CC/CC

La empresa onsemi dispone de carteras completas de controladores y reguladores de CA-CC y CC-CC fuera de línea, y de controladores del factor de potencia y del lado secundario que permiten una alta eficiencia en modo activo, un bajo consumo en modo de espera y la corrección del factor de potencia.

1. Controladores de conmutación fuera de línea; incluidos controladores PWM flyback y forward de frecuencia fija, y controladores de modo de corriente y de modo de voltaje.
2. Reguladores de conmutación fuera de línea, incluido el modo de corriente, el modo de voltaje y los dispositivos osciladores con compuerta.
3. Controladores de factor de potencia CRM, CCM y DCM variables que permiten corregir el factor de potencia.
4. Controladores de rectificación sincrónica de lado secundario
5. Controladores de corriente y de voltaje para circuitos de conversión de potencia de CC-CC.

Controladores de CA-CC - CC/CC

La empresa onsemi dispone de carteras completas de controladores y reguladores de CA-CC y CC-CC fuera de línea, y de controladores del factor de potencia y del lado secundario que permiten una alta eficiencia en modo activo, un bajo consumo en modo de espera y la corrección del factor de potencia.

1. Controladores de conmutación fuera de línea; incluidos controladores PWM flyback y forward de frecuencia fija, y controladores de modo de corriente y de modo de voltaje.
2. Reguladores de conmutación fuera de línea, incluido el modo de corriente, el modo de voltaje y los dispositivos osciladores con compuerta.
3. Controladores de factor de potencia CRM, CCM y DCM variables que permiten corregir el factor de potencia.
4. Controladores de rectificación sincrónica de lado secundario
5. Controladores de corriente y de voltaje para circuitos de conversión de potencia de CC-CC.

Convertidores de CC/CC