La mentalidad progresista impulsa la evolución de las infraestructuras energéticas - onsemi

onsemi aprovecha décadas de experiencia en tecnologías innovadoras, fiables, altamente eficientes y de calidad de los semiconductores de potencia de última generación para acortar su tiempo de desarrollo y, al mismo tiempo, superar sus presupuestos de densidad de potencia y pérdida de potencia. Les ayudamos a usted y a su equipo de fabricación a descansar tranquilos por la noche sabiendo que han contribuido a hacer del mundo un lugar mejor.

  • Estaciones de carga EV
  • Almacenamiento de energía/UPS
  • Inversores solares
  • MOSFET de SiC
  • Diodos de SiC
  • Controladores de SiC
  • Módulos de potencia y módulos híbridos de SiC
  • IGBT
  • Controladores de compuerta aislados galvánicamente
  • Amplificadores de detección de corriente
  • Amplificadores operacionales: detección de voltaje y corriente
  • Regulación de voltaje (LDO)

  • Reguladores/Convertidores de CA-CC, CC-CC

MOSFET de SiC

MOSFET de SiC de 650 V de onsemi

MOSFET de SiC de 650 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la compuerta. En consecuencia, los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

Características

  • RDSon baja
  • Alta temperatura de unión
  • 100 % verificados conforme a UIL
  • Cumple con RoHS
  • Conmutación de alta velocidad y baja capacitancia
  • 650 V nominal
  • Variantes AEC-Q100 disponibles

Aplicaciones

  • Convertidor de CC-CC
  • Inversor elevador
  • CC/CC para usos automotrices
  • PFC para automóviles

Productos finales

  • UPS
  • Solares
  • Fuentes de alimentación
  • Cargador incorporado para automóviles
  • Convertidores de CC/CC automotrices para EV/PHEV

MOSFET de SiC de 650 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NTBG015N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
NTBG045N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
NTH4L015N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
NTH4L045N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
NTH4L015N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
MOSFET de SiC de 900 V de onsemi

MOSFET de SiC de 900 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la compuerta. En consecuencia, los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

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Características

  • 900 V nominal
  • Baja resistencia de encendido
  • Tamaño compacto del chip que garantiza una baja capacitancia y carga de compuerta
  • Conmutación de alta velocidad y baja capacitancia
  • 100 % verificados conforme a UIL
  • Calificado para aplicaciones automotrices según AEC‑Q101

Aplicaciones

  • PFC
  • OBC
  • Inversores elevadores
  • Carga de PV
  • Convertidores de CC/CC automotrices para EV/PHEV
  • Cargadores integrados para la industria automotriz
  • Accionamientos de motor auxiliar automotriz
  • Fuentes de alimentación de red
  • Fuentes de alimentación del servidor

MOSFET de SiC de 900 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NTBG020N090SC1 SICFET DE CANAL N D2PAK DE 900 V 9.8 A/112 A Ver detalles
NTHL020N090SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 900 V/118 A Ver detalles
NTHL060N090SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 900 V/46 A Ver detalles
NVBG020N090SC1 SICFET DE CANAL N D2PAK DE 900 V 9.8 A/112 A Ver detalles
NVHL020N090SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 900 V/118 A Ver detalles

MOSFET de SiC de 1200 V de onsemi

MOSFET de SiC de 1200 V M3S

La familia de MOSFET de SiC M3S de 1200 V está optimizada para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de forma fiable con control del voltaje de compuerta negativo y desactiva los picos en la compuerta. La familia tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con un accionamiento de compuerta de 18 V, pero también funciona bien con un controlador de compuerta de 15 V.

Obtener más información

Características

  • Paquete TO247-4LD para una baja inductancia de la fuente común
  • Accionamiento de compuerta de 15 V a 18 V
  • Nueva tecnología M3S: RDS(ON) de 22 mohm con bajas pérdidas EON y EOFF
  • Avalancha 100 % probada

Beneficios

  • Reducción de las pérdidas de EON
  • 18 V para el mejor rendimiento; 15 V para la compatibilidad con los circuitos de controladores de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
  • Densidad de potencia mejorada
  • Mayor resistencia a los picos de voltaje de entrada inesperados o a los timbres

Aplicaciones

  • Conversión de CA/CC
  • Conversión de CC/CA
  • Conversión de CC/CC

Productos finales

  • UPS
  • Cargadores de vehículos eléctricos
  • Inversores solares
  • Sistemas de almacenamiento de energía

MOSFET de SiC de 1200 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NTBG020N120SC1 SICFET DE CANAL N D2PAK DE 1200 V 8.6 A/98 A Ver detalles
NTHL020N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 103 A Ver detalles
NVHL020N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 103 A Ver detalles
NTHL080N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 44 A Ver detalles
NVBG020N120SC1 MOSFET DE CANAL N D2PAK DE 1200 V 8.6 A/98 A Ver detalles
NVHL080N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 44 A Ver detalles

Diodos de SiC

Diodo de SiC de 650 V

MOSFET de SiC de 650 V

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de onsemi utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente de la temperatura y funcionamiento térmico excelente hace que el carburo de silicio sea la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, interferencia electromagnética (EMI) reducida, y un tamaño y un costo de sistema reducidos.

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Características

  • Fácil de conectar en paralelo
  • Capacitancia de corriente de sobretensión alta
  • Temperatura de unión máxima: +175 ºC
  • Sin recuperación inversa/sin recuperación hacia adelante
  • Frecuencia de conmutación superior
  • Bajo voltaje directo (VF)
  • Coeficiente de temperatura positivo
  • Con calificación AEC-Q101 y capacidad PPAP

Beneficios

  • Convertidores de CC/CC automotrices HEV-EV
  • Cargadores automotrices HEV-EV integrados
  • Potencia industrial
  • PFC
  • Solares
  • UPS
  • Soldadura

MOSFET de SiC de 650 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
FFSB0665B SBD DE SIC DE 650 V 6 A GEN1.5 Ver detalles
FFSB0865B SBD DE SIC DE 650 V 8 A GEN1.5 Ver detalles
FFSP08120A DIODO SCHOTTKY TO220-2 1.2 KV 8 A Ver detalles
FFSP10120A DIODO SCHOTTKY TO220-2 1.2 KV 10 A Ver detalles
FFSP15120A DIODO SCHOTTKY TO220-2 1.2 KV 15 A Ver detalles
FFSH20120A DIODO SCHOTTKY TO247-2 1.2 KV 30 A Ver detalles
FFSP3065A DIODO SCHOTTKY TO220-2 DE 650 V 30 A Ver detalles
FFSM0665A SBD DE SIC DE 650 V 6 A Ver detalles
FFSD1065A SBD DE SIC DE 650 V 10 A Ver detalles
FFSB1065B-F085 SBD DE SIC DE 650 V 10 A GEN1.5 Ver detalles
FFSB2065B-F085 DIODO DE SIC DE 650 V Ver detalles
FFSM1265A SBD DE SIC DE 650 V 12 A Ver detalles
FFSD08120A SBD DE SIC DE 1200 V 8 A Ver detalles
FFSD10120A DIODO SCHOTTKY TO252 DE 1.2 KV Ver detalles
FFSD1065B-F085 SBD DE SIC DE 650 V 10 A GEN1.5 Ver detalles
FFSB3065B-F085 SBD DE SIC DE 650 V 30 A GEN1.5 Ver detalles
FFSB10120A-F085 SBD DE SIC AUTO DE 1200 V 10 A Ver detalles
FFSB20120A-F085 SBD DE SIC AUTO DE 1200 V 20 A Ver detalles
FFSP05120A DIODO SCHOTTKY TO220-2 DE 1.2 KV Ver detalles
FFSP20120A DIODO SCHOT TO220-2L DE 1200 V 20 A Ver detalles

Diodo de SiC de 1200 V

Diodos de SiC de 1200 V

La empresa onsemi presenta los MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V que utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. La baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la puerta. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

Obtener más información

Características

  • 1200 V nominal
  • Baja resistencia de encendido
  • Tamaño compacto del chip que garantiza una baja capacitancia y carga de compuerta
  • Conmutación de alta velocidad y baja capacitancia
  • 100 % verificados conforme a UIL
  • Calificado para aplicaciones automotrices según AEC‑Q101

Aplicaciones

  • PFC
  • OBC
  • Inversores elevadores
  • Cargadores de PV
  • Convertidores de CC/CC automotrices para EV/PHEV
  • Cargadores integrados para la industria automotriz
  • Accionamientos de motor auxiliar automotriz
  • Inversores solares
  • Fuentes de alimentación de red
  • Fuentes de alimentación del servidor

Diodos de SiC de 1200 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NTBG020N120SC1 SICFET DE CANAL N D2PAK DE 1200 V 8.6 A/98 A Ver detalles
NTHL020N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 103 A Ver detalles
NVHL020N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 103 A Ver detalles
NTHL080N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 44 A Ver detalles
NVBG020N120SC1 MOSFET DE CANAL N D2PAK DE 1200 V 8.6 A/98 A Ver detalles
NVHL080N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 44 A Ver detalles

Diodo SiC de 1700V

MOSFET de SiC de 1700 V

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de 1700 V de onsemi utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente de la temperatura y funcionamiento térmico excelente hace que el carburo de silicio sea la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, interferencia electromagnética (EMI) reducida, y un tamaño y un costo de sistema reducidos.

Obtener más información

Características

  • Fácil de conectar en paralelo
  • Capacitancia de corriente de sobretensión alta
  • Temperatura de unión máxima: +175 ºC
  • Sin recuperación inversa/sin recuperación hacia adelante
  • Frecuencia de conmutación superior
  • Bajo voltaje directo (VF)
  • Coeficiente de temperatura positivo
  • Con calificación AEC-Q101 y capacidad PPAP

Aplicaciones

  • Convertidores de CC/CC automotrices HEV-EV
  • Cargadores automotrices HEV-EV integrados
  • Potencia industrial
  • PFC
  • Solares
  • UPS
  • Soldadura

MOSFET de SiC de 1700 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NDSH25170A JBS DE SIC TO247 DE 1700 V 25 A Ver detalles

Controladores de SiC

Controladores de SiC

Controladores de SiC

La empresa onsemi presenta el controlador simple de 6 A de alta velocidad y lado bajo serie NCx51705 diseñado para accionar principalmente transistores MOSFET de SiC. Para lograr las pérdidas de conducción más bajas posibles, el controlador es capaz de entregar el voltaje de compuerta máximo permitido al dispositivo MOSFET de SiC. Al proporcionar una corriente de pico alta durante el encendido y apagado, las pérdidas de conmutación también se minimizan. Para una confiabilidad mejorada, inmunidad dV/dt y un apagado aún más rápido, el NCx51705 puede utilizar su bomba de carga incorporada para generar un riel de voltaje negativo seleccionable por parte del usuario. Para aplicaciones aisladas, el NCx51705 también proporciona un riel de 5 V accesible externamente para alimentar el lado secundario de los optoaisladores digitales o de alta velocidad.

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Características

  • Alta corriente de salida de pico con etapas de salida divididas
  • Voltaje nominal positivo extendido de hasta 28 V máx.
  • Bomba de carga negativa incorporada ajustable por el usuario (-3.3 V a -8 V)
  • Riel de referencia/polarización accesible de 5 V
  • Bloqueo de subtensión ajustable
  • Función de desaturación rápida
  • Paquete QFN24 de 4 mm x 4 mm
  • Permitir ajuste de encendido/apagado independiente
  • Operación eficiente de MOSFET de SiC durante el período de conducción
  • Apagado rápido e inmunidad dV/dt robusta
  • Minimiza la complejidad de la fuente de polarización en aplicaciones de controlador de compuerta aislado
  • Amplitud suficiente de VGS para igualar el mejor rendimiento de SiC
  • Autoprotección del diseño
  • Paquete de inductancia parasitaria pequeña y baja

Aplicaciones

  • Inversores de alto rendimiento
  • Controladores de motor de alta potencia
  • PFC de polo tótem
  • Accionamiento de motor e industrial
  • UPS e inversores solares
  • Cargadores de CC de alta potencia

Controladores de SiC

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NCP51705MNTXG CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE LADO BAJO 24QFN Ver detalles
NCV51705MNTWG CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE LADO BAJO 24QFN Ver detalles

Controlador de compuerta de alta corriente aislados

Controladores de compuerta de alta corriente aislados

La cartera de controladores de compuerta de onsemi incluye controladores de GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET de puente en H y MOSFET de SiC con y sin inversión, ideales para aplicaciones de conmutación.

Obtener más información

Controladores de compuerta de alta corriente aislados

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NCD57000DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE MEDIO PUENTE 16SOIC Ver detalles
NCD57001DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE MEDIO PUENTE 16SOIC Ver detalles
NCV57001DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA IGBT DE CI Ver detalles
NCV57000DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA IGBT DE CI Ver detalles

Módulos de potencia y módulos híbridos de SiC

Módulos híbridos de SiC

Módulos de potencia y módulos híbridos de SiC

Características

  1. Optimizado para un rendimiento superior
  2. Menor resistencia térmica que los dispositivos discretos
  3. Paquetes de fácil montaje que se ajustan a los terminales estándar de la industria

N.° de pieza Descripción Ver detalles
NXH006P120MNF2PTG Módulos SiC, Medio Puente 2-PACK 1200 V, MOSFET de SiC 6 mohm, paquete F2 Ver detalles

IGBT

IGBT

IGBT

Los IGBT de onsemi ofrecen un rendimiento óptimo al equilibrar las pérdidas VCE(sat) y Eoff y el sobreimpulso Vce de apagado controlable. También ofrecen la máxima fiabilidad y rendimiento gracias al coeficiente de temperatura positivo, el bajo voltaje de saturación (VCE(sat)), las bajísimas pérdidas por conmutación y conducción, y la rápida conmutación. Son muy adecuados para aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento y están diseñados y cualificados para aplicaciones industriales y automotrices.

N.° de pieza Descripción Ver detalles
FGHL75T65MQD IGBT - transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de velocidad de conmutación media FS4 de 650 V 75 A Ver detalles
FGY75T95SQDT IGBT - IGBT de trinchera de parada de campo de 950 V 75 A Ver detalles
FGY60T120SQDN IGBT, parada de campo ultra -1200 V 60 A Ver detalles

Controladores de compuerta aislados galvánicamente

Controladores de compuerta aislados galvánicamente

Controladores de compuerta aislados galvánicamente

La cartera de controladores de compuerta de onsemi incluye controladores de GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET de puente en H y MOSFET de SiC con y sin inversión, ideales para aplicaciones de conmutación.

N.° de pieza Descripción Ver detalles
NCD57000DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE MEDIO PUENTE 16SOIC Ver detalles
NCD57001DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE MEDIO PUENTE 16SOIC Ver detalles
NCV57001DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA IGBT DE CI Ver detalles
NCV57000DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA IGBT DE CI Ver detalles

Amplificadores de detección de corriente

Amplificadores de detección de corriente

Amplificadores de detección de corriente

Los amplificadores de detección de corriente proporcionan información crítica que puede ayudar en las funciones de seguridad y diagnóstico de un sistema mediante la supervisión del consumo de corriente. Integran resistencias externas para una mayor precisión y un menor espacio, para admitir amplificadores operacionales independientes.

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N.° de pieza Descripción Ver detalles
NCS2002SN1T1G AMP OP DE CI GP 1 CIRCUITO 6TSOP Ver detalles
NCS2002SN2T1G AMP OP DE CI GP 1 CIRCUITO 6TSOP Ver detalles
NCS2004SQ3T2G AMP OP DE CI GP 1 CIRCUITO SC88A Ver detalles
NCS211RMUTAG CIRCUITO 1 DE DETEC DE CORR DE CI 10UQFN Ver detalles
N.° de pieza Descripción Ver detalles
STR-CORRIENTE-DETECCIÓN-GEVB EVALUACIÓN DEL AMPLIFICADOR DE DETECCIÓN DE CORRIENTE Ver detalles
SECO-1KW-MDK-GEVK DESARR DE MOTOR INDUSTRIAL 1 kW 600 V Ver detalles
NCS2200AGEVB PLACA EVAL NCS2200A COMP UDFN6 Ver detalles
NCS2220AGEVB PLACA EVAL PARA NCS2220A UDFN6 Ver detalles

Amplificadores operacionales: detección de voltaje y corriente

Amplificadores de detección de corriente

Amplificadores operacionales: detección de voltaje y corriente

Estas familias ofrecen operación de riel a riel, lo que brinda un rango dinámico más amplio. Los diferentes requisitos del sistema y una gama de 270 kHz a 10 MHz ofrecen a los diseñadores de sistemas flexibilidad en la selección del amplificador. También están disponibles en varios paquetes que ahorran espacio y cumplen con las limitaciones de potencia y espacio para los diseños de sistemas modernos.

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N.° de pieza Descripción Ver detalles
NCS20166SN2T1G AMP OP DE CI GP 1 CIRCUITO SC74A Ver detalles
NCV20062DR2G AMP OP DE CI GP 2 CIRCUITO 8SOIC Ver detalles
NCS2333MUTBG AMP OP DE CI DE DERIVA CERO 2 CIRC 8UDFN Ver detalles

Reguladores de voltaje (LDO)

Regulador de voltaje

Reguladores de voltaje (LDO)

Los reguladores lineales (LDO) proporcionan una solución óptima para los requisitos de diseño de bajo consumo, conscientes del espacio y de bajo ruido. La sencillez del diseño y los pocos componentes externos facilitan su integración en el producto final. Esta amplia cartera se caracteriza por su alta PSRR, bajo ruido, baja corriente de reposo (Iq), baja caída y amplio rango de voltaje de entrada. Como líder del mercado, proporcionamos piezas que ofrecen el mejor rendimiento de la industria con un diseño robusto y una fabricación de alta calidad. Las opciones de paquete incluyen desde el tamaño más pequeño de la industria hasta los paquetes de potencia más grandes, lo que proporciona una solución ideal para aplicaciones automotrices, industriales y de consumo.

N.° de pieza Descripción Ver detalles
NCP164 Regulador LDO de 300 mA, ruido ultrabajo, alta PSRR con Power Good Ver detalles
NCP715 Regulador LDO, 50 mA, Iq ultrabajo Ver detalles
NCP730 Regulador LDO, 150 mA, 38 V, 1 uA IQ, con PG Ver detalles

Reguladores/Convertidores de CA-CC, CC-CC

Regulador/Convertidor de CA-CC, CC-CC

Reguladores/Convertidores de CA-CC, CC-CC

La empresa onsemi dispone de carteras completas de controladores y reguladores de CA-CC y CC-CC fuera de línea, y de controladores del factor de potencia y del lado secundario que permiten una alta eficiencia en modo activo, un bajo consumo en modo de espera y la corrección del factor de potencia.

Características

  1. Controladores de conmutación fuera de línea; incluidos controladores PWM flyback y forward de frecuencia fija, y controladores de modo de corriente y de modo de voltaje.
  2. Reguladores de conmutación fuera de línea, incluido el modo de corriente, el modo de voltaje y los dispositivos osciladores con compuerta.
  3. Controladores de factor de potencia CRM, CCM y DCM variables que permiten corregir el factor de potencia.
  4. Controladores de rectificación sincrónica de lado secundario
  5. Controladores de corriente y de voltaje para circuitos de conversión de potencia de CC-CC.

N.° de pieza Descripción Ver detalles
NCP10670 INTERRUPTOR FUERA DE LÍNEA DE CI MULT TOP 8SOIC Ver detalles
FSL336 INTERRUPTOR FUERA DE LÍNEA DE CI MULT TOP 7DIP Ver detalles
FSL337 INTERRUPTOR FUERA DE LÍNEA DE CI MULT TOP 7DIP Ver detalles
FSL518A/H INTERRUPTOR FUERA DE LÍNEA DE CI FLYBACK 7DIP Ver detalles
FSL538A/H INTERRUPTOR FUERA DE LÍNEA DE CI FLYBACK 7DIP Ver detalles
  • MOSFET DE SiC
  • Diodos de SiC
  • Controladores de SiC
  • Módulos de potencia y módulos híbridos de SiC
  • IGBT FS4 DE 650 V
  • Controladores de compuerta aislados galvánicamente

  • Reguladores/Convertidores de CA-CC, CC-CC
  • Comunicación
  • Controladores de gestión térmica

MOSFET DE SiC

MOSFET de SiC de 650 V de onsemi

MOSFET de SiC de 650 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la compuerta. En consecuencia, los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

Características

  • RDSon baja
  • Alta temperatura de unión
  • 100 % verificados conforme a UIL
  • Cumple con RoHS
  • Conmutación de alta velocidad y baja capacitancia
  • 650 V nominal
  • Variantes AEC-Q100 disponibles

Aplicaciones

  • Convertidor de CC-CC
  • Inversor elevador
  • CC/CC para usos automotrices
  • PFC para automóviles

Productos finales

  • UPS
  • Solares
  • Fuentes de alimentación
  • Cargador incorporado para automóviles
  • Convertidores de CC/CC automotrices para EV/PHEV

MOSFET de SiC de 650 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NTBG015N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
NTBG045N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
NTH4L015N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
NTH4L045N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
NTH4L015N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
MOSFET de SiC de 900 V de onsemi

MOSFET de SiC de 900 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la compuerta. En consecuencia, los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

Obtener más información

Características

  • 900 V nominal
  • Baja resistencia de encendido
  • Tamaño compacto del chip que garantiza una baja capacitancia y carga de compuerta
  • Conmutación de alta velocidad y baja capacitancia
  • 100 % verificados conforme a UIL
  • Calificado para aplicaciones automotrices según AEC‑Q101

Aplicaciones

  • PFC
  • OBC
  • Inversores elevadores
  • Carga de PV
  • Convertidores de CC/CC automotrices para EV/PHEV
  • Cargadores integrados para la industria automotriz
  • Accionamientos de motor auxiliar automotriz
  • Fuentes de alimentación de red
  • Fuentes de alimentación del servidor

MOSFET de SiC de 900 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NTBG020N090SC1 SICFET DE CANAL N D2PAK DE 900 V 9.8 A/112 A Ver detalles
NTHL020N090SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 900 V/118 A Ver detalles
NTHL060N090SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 900 V/46 A Ver detalles
NVBG020N090SC1 SICFET DE CANAL N D2PAK DE 900 V 9.8 A/112 A Ver detalles
NVHL020N090SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 900 V/118 A Ver detalles

MOSFET de SiC de 1200 V de onsemi

MOSFET de SiC de 1200 V M3S

La familia de MOSFET de SiC M3S de 1200 V está optimizada para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de forma fiable con control del voltaje de compuerta negativo y desactiva los picos en la compuerta. La familia tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con un accionamiento de compuerta de 18 V, pero también funciona bien con un controlador de compuerta de 15 V.

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Características

  • Paquete TO247-4LD para una baja inductancia de la fuente común
  • Accionamiento de compuerta de 15 V a 18 V
  • Nueva tecnología M3S: RDS(ON) de 22 mohm con bajas pérdidas EON y EOFF
  • Avalancha 100 % probada

Beneficios

  • Reducción de las pérdidas de EON
  • 18 V para el mejor rendimiento; 15 V para la compatibilidad con los circuitos de controladores de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
  • Densidad de potencia mejorada
  • Mayor resistencia a los picos de voltaje de entrada inesperados o a los timbres

Aplicaciones

  • Conversión de CA/CC
  • Conversión de CC/CA
  • Conversión de CC/CC

Productos finales

  • UPS
  • Cargadores de vehículos eléctricos
  • Inversores solares
  • Sistemas de almacenamiento de energía

MOSFET de SiC de 1200 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NTBG020N120SC1 SICFET DE CANAL N D2PAK DE 1200 V 8.6 A/98 A Ver detalles
NTHL020N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 103 A Ver detalles
NVHL020N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 103 A Ver detalles
NTHL080N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 44 A Ver detalles
NVBG020N120SC1 MOSFET DE CANAL N D2PAK DE 1200 V 8.6 A/98 A Ver detalles
NVHL080N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 44 A Ver detalles

Diodos de SiC

Diodo de SiC de 650 V

MOSFET de SiC de 650 V

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de onsemi utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente de la temperatura y funcionamiento térmico excelente hace que el carburo de silicio sea la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, interferencia electromagnética (EMI) reducida, y un tamaño y un costo de sistema reducidos.

Obtener más información

Características

  • Fácil de conectar en paralelo
  • Capacitancia de corriente de sobretensión alta
  • Temperatura de unión máxima: +175 ºC
  • Sin recuperación inversa/sin recuperación hacia adelante
  • Frecuencia de conmutación superior
  • Bajo voltaje directo (VF)
  • Coeficiente de temperatura positivo
  • Con calificación AEC-Q101 y capacidad PPAP

Beneficios

  • Convertidores de CC/CC automotrices HEV-EV
  • Cargadores automotrices HEV-EV integrados
  • Potencia industrial
  • PFC
  • Solares
  • UPS
  • Soldadura

MOSFET de SiC de 650 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
FFSB0665B SBD DE SIC DE 650 V 6 A GEN1.5 Ver detalles
FFSB0865B SBD DE SIC DE 650 V 8 A GEN1.5 Ver detalles
FFSP08120A DIODO SCHOTTKY TO220-2 1.2 KV 8 A Ver detalles
FFSP10120A DIODO SCHOTTKY TO220-2 1.2 KV 10 A Ver detalles
FFSP15120A DIODO SCHOTTKY TO220-2 1.2 KV 15 A Ver detalles
FFSH20120A DIODO SCHOTTKY TO247-2 1.2 KV 30 A Ver detalles
FFSP3065A DIODO SCHOTTKY TO220-2 DE 650 V 30 A Ver detalles
FFSM0665A SBD DE SIC DE 650 V 6 A Ver detalles
FFSD1065A SBD DE SIC DE 650 V 10 A Ver detalles
FFSB1065B-F085 SBD DE SIC DE 650 V 10 A GEN1.5 Ver detalles
FFSB2065B-F085 DIODO DE SIC DE 650 V Ver detalles
FFSM1265A SBD DE SIC DE 650 V 12 A Ver detalles
FFSD08120A SBD DE SIC DE 1200 V 8 A Ver detalles
FFSD10120A DIODO SCHOTTKY TO252 DE 1.2 KV Ver detalles
FFSD1065B-F085 SBD DE SIC DE 650 V 10 A GEN1.5 Ver detalles
FFSB3065B-F085 SBD DE SIC DE 650 V 30 A GEN1.5 Ver detalles
FFSB10120A-F085 SBD DE SIC AUTO DE 1200 V 10 A Ver detalles
FFSB20120A-F085 SBD DE SIC AUTO DE 1200 V 20 A Ver detalles
FFSP05120A DIODO SCHOTTKY TO220-2 DE 1.2 KV Ver detalles
FFSP20120A DIODO SCHOT TO220-2L DE 1200 V 20 A Ver detalles

Diodo de SiC de 1200 V

Diodos de SiC de 1200 V

La empresa onsemi presenta los MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V que utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. La baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la puerta. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

Obtener más información

Características

  • 1200 V nominal
  • Baja resistencia de encendido
  • Tamaño compacto del chip que garantiza una baja capacitancia y carga de compuerta
  • Conmutación de alta velocidad y baja capacitancia
  • 100 % verificados conforme a UIL
  • Calificado para aplicaciones automotrices según AEC‑Q101

Aplicaciones

  • PFC
  • OBC
  • Inversores elevadores
  • Cargadores de PV
  • Convertidores de CC/CC automotrices para EV/PHEV
  • Cargadores integrados para la industria automotriz
  • Accionamientos de motor auxiliar automotriz
  • Inversores solares
  • Fuentes de alimentación de red
  • Fuentes de alimentación del servidor

Diodos de SiC de 1200 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NTBG020N120SC1 SICFET DE CANAL N D2PAK DE 1200 V 8.6 A/98 A Ver detalles
NTHL020N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 103 A Ver detalles
NVHL020N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 103 A Ver detalles
NTHL080N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 44 A Ver detalles
NVBG020N120SC1 MOSFET DE CANAL N D2PAK DE 1200 V 8.6 A/98 A Ver detalles
NVHL080N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 44 A Ver detalles

Diodo SiC de 1700V

MOSFET de SiC de 1700 V

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de 1700 V de onsemi utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente de la temperatura y funcionamiento térmico excelente hace que el carburo de silicio sea la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, interferencia electromagnética (EMI) reducida, y un tamaño y un costo de sistema reducidos.

Obtener más información

Características

  • Fácil de conectar en paralelo
  • Capacitancia de corriente de sobretensión alta
  • Temperatura de unión máxima: +175 ºC
  • Sin recuperación inversa/sin recuperación hacia adelante
  • Frecuencia de conmutación superior
  • Bajo voltaje directo (VF)
  • Coeficiente de temperatura positivo
  • Con calificación AEC-Q101 y capacidad PPAP

Aplicaciones

  • Convertidores de CC/CC automotrices HEV-EV
  • Cargadores automotrices HEV-EV integrados
  • Potencia industrial
  • PFC
  • Solares
  • UPS
  • Soldadura

MOSFET de SiC de 1700 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NDSH25170A JBS DE SIC TO247 DE 1700 V 25 A Ver detalles

Controladores de SiC

Controladores de SiC

Controladores de SiC

onsemi presenta el controlador simple de 6 A de alta velocidad y lado bajo serie NCx51705 diseñado para accionar principalmente transistores MOSFET de SiC. Para lograr las pérdidas de conducción más bajas posibles, el controlador es capaz de entregar el voltaje de compuerta máximo permitido al dispositivo MOSFET de SiC. Al proporcionar una corriente de pico alta durante el encendido y apagado, las pérdidas de conmutación también se minimizan. Para una confiabilidad mejorada, inmunidad dV/dt y un apagado aún más rápido, el NCx51705 puede utilizar su bomba de carga incorporada para generar un riel de voltaje negativo seleccionable por parte del usuario. Para aplicaciones aisladas, el NCx51705 también proporciona un riel de 5 V accesible externamente para alimentar el lado secundario de los optoaisladores digitales o de alta velocidad.

Obtener más información

Características

  • Alta corriente de salida de pico con etapas de salida divididas
  • Voltaje nominal positivo extendido de hasta 28 V máx.
  • Bomba de carga negativa incorporada ajustable por el usuario (-3.3 V a -8 V)
  • Riel de referencia/polarización accesible de 5 V
  • Bloqueo de subtensión ajustable
  • Función de desaturación rápida
  • Paquete QFN24 de 4 mm x 4 mm
  • Permitir ajuste de encendido/apagado independiente
  • Operación eficiente de MOSFET de SiC durante el período de conducción
  • Apagado rápido e inmunidad dV/dt robusta
  • Minimiza la complejidad de la fuente de polarización en aplicaciones de controlador de compuerta aislado
  • Amplitud suficiente de VGS para igualar el mejor rendimiento de SiC
  • Autoprotección del diseño
  • Paquete de inductancia parasitaria pequeña y baja

Aplicaciones

  • Inversores de alto rendimiento
  • Controladores de motor de alta potencia
  • PFC de polo tótem
  • Accionamiento de motor e industrial
  • UPS e inversores solares
  • Cargadores de CC de alta potencia

Controladores de SiC

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NCP51705MNTXG CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE LADO BAJO 24QFN Ver detalles
NCV51705MNTWG CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE LADO BAJO 24QFN Ver detalles

Controlador de compuerta de alta corriente aislados

Controladores de compuerta de alta corriente aislados

La cartera de controladores de compuerta de onsemi incluye controladores de GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET de puente en H y MOSFET de SiC con y sin inversión, ideales para aplicaciones de conmutación.

Obtener más información

Controladores de compuerta de alta corriente aislados

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NCD57000DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE MEDIO PUENTE 16SOIC Ver detalles
NCD57001DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE MEDIO PUENTE 16SOIC Ver detalles
NCV57001DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA IGBT DE CI Ver detalles
NCV57000DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA IGBT DE CI Ver detalles

Módulos de potencia y módulos híbridos de SiC

Módulos híbridos de SiC

Módulos de potencia y módulos híbridos de SiC

Características

  • Optimizado para un rendimiento superior
  • Menor resistencia térmica que los dispositivos discretos
  • Paquetes de fácil montaje que se ajustan a los pinouts estándar de la industria
N.° de pieza Descripción Ver detalles
NXH100B120H3Q0PTG Módulo integrado de potencia, elevador dual, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, diodo SiC de 20 A Ver detalles
NXH80B120MNQ0SNG Módulo MOSFET de SiC completo, elevador de SiC completo de dos canales, 1200 V, 80 mohm MOSFET de SiC + 1200 V, Diodo de SiC de 20 A Ver detalles

IGBT FS4 DE 650 V

IGBT

IGBT FS4 DE 650 V

Los IGBT de onsemi ofrecen un rendimiento óptimo al equilibrar las pérdidas VCE(sat) y Eoff y el sobreimpulso Vce de apagado controlable. También ofrecen la máxima fiabilidad y rendimiento gracias al coeficiente de temperatura positivo, el bajo voltaje de saturación (VCE(sat)), las bajísimas pérdidas por conmutación y conducción, y la rápida conmutación. Son muy adecuados para aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento y están diseñados y cualificados para aplicaciones industriales y automotrices.

N.° de pieza Descripción Ver detalles
FGH40T65SQD-F155 IGBT FS 4 Ver detalles
NGTB25N120FL3WG IGBT, parada de campo ultra - 1200 V 25 A Ver detalles
NGTB40N120S3WG IGBT, 1200V, FSIII de VF bajo de 40 A Ver detalles

Controladores de compuerta aislados galvánicamente

Controladores de compuerta aislados galvánicamente

Controladores de compuerta aislados galvánicamente

La cartera de controladores de compuerta de onsemi incluye controladores de GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET de puente en H y MOSFET de SiC con y sin inversión, ideales para aplicaciones de conmutación.

N.° de pieza Descripción Ver detalles
NCD57000DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE MEDIO PUENTE 16SOIC Ver detalles
NCD57001DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE MEDIO PUENTE 16SOIC Ver detalles
NCV57001DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA IGBT DE CI Ver detalles
NCV57000DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA IGBT DE CI Ver detalles

Reguladores/Convertidores de CA-CC, CC-CC

Regulador/Convertidor de CA-CC, CC-CC

Reguladores/Convertidores de CA-CC, CC-CC

La empresa onsemi dispone de carteras completas de controladores y reguladores de CA-CC y CC-CC fuera de línea, y de controladores del factor de potencia y del lado secundario que permiten una alta eficiencia en modo activo, un bajo consumo en modo de espera y la corrección del factor de potencia.

Características

  1. Controladores de conmutación fuera de línea; incluidos controladores PWM flyback y forward de frecuencia fija, y controladores de modo de corriente y de modo de voltaje.
  2. Reguladores de conmutación fuera de línea, incluido el modo de corriente, el modo de voltaje y los dispositivos osciladores con compuerta.
  3. Controladores de factor de potencia CRM, CCM y DCM variables que permiten corregir el factor de potencia.
  4. Controladores de rectificación sincrónica de lado secundario
  5. Controladores de corriente y de voltaje para circuitos de conversión de potencia de CC-CC.

N.° de pieza Descripción Ver detalles
NCP10670 INTERRUPTOR FUERA DE LÍNEA DE CI MULT TOP 8SOIC Ver detalles
FSL336 INTERRUPTOR FUERA DE LÍNEA DE CI MULT TOP 7DIP Ver detalles
FSL337 INTERRUPTOR FUERA DE LÍNEA DE CI MULT TOP 7DIP Ver detalles
FSL518A/H INTERRUPTOR FUERA DE LÍNEA DE CI FLYBACK 7DIP Ver detalles
FSL538A/H INTERRUPTOR FUERA DE LÍNEA DE CI FLYBACK 7DIP Ver detalles

Comunicación

CAN.

CAN.

Los transceptores con cable de onsemi son ideales para la conexión en red de vehículos, la conexión en red industrial, los sistemas electrónicos de puertas descentralizados, las unidades de control de carrocerías (BCU), la automatización de viviendas, edificios y procesos, la supervisión medioambiental y las aplicaciones de energía inteligentes. La cartera también incluye opciones calificadas AEC-Q101 y aptas para PPAP específicamente diseñadas y calificadas para aplicaciones de la industria del automóvil.

N.° de pieza Descripción Ver detalles
NCV7349 Transceptor CAN, alta velocidad, bajo consumo Ver detalles
NCV7351 Transceptor CAN/CAN FD, alta velocidad Ver detalles
NCV7357 Transceptor CAN FD, alta velocidad Ver detalles
NCV7343 Transceptor CAN FD, alta velocidad, bajo consumo Ver detalles
NCV7344 Transceptor CAN FD, alta velocidad, bajo consumo Ver detalles
BLE (bluetooth de baja energía)

BLE (bluetooth de baja energía)

Con la conectividad inalámbrica Bluetooth® Low Energy, la RSL15 responde a la creciente demanda de seguridad de las aplicaciones industriales conectadas sin sacrificar el consumo de energía.

N.° de pieza Descripción Ver detalles
RSL10 SoC de radio, certificado Bluetooth® 5, SDK 3.5/SIP Ver detalles
RSL15 MCU inalámbrica segura Bluetooth® 5.2 Ver detalles

Controladores de gestión térmica

Controladores de gestión térmica

Controladores de gestión térmica

N.° de pieza Descripción Ver detalles
LV8324C Accionamiento de motor BLDC monofásico de 24 V (ventilador) Ver detalles
NCT375 Sensor de temperatura (con I2C) Ver detalles
NCP1340 Controlador del lado primario y secundario Ver detalles
NCP4306 Controlador del lado primario y secundario Ver detalles
  • MOSFET DE SiC
  • Diodos de SiC
  • Controladores de SiC
  • Módulos de potencia y módulos híbridos de SiC
  • Comunicación
  • Controladores de compuerta aislados galvánicamente
  • Aisladores digitales
  • Reguladores de CA/CC - CC/CC
  • Controladores de CA-CC - CC/CC
  • Convertidores de CC/CC

MOSFET DE SiC

MOSFET de SiC de 650 V de onsemi

MOSFET de SiC de 650 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la compuerta. En consecuencia, los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

Características

  • RDSon baja
  • Alta temperatura de unión
  • 100 % verificados conforme a UIL
  • Cumple con RoHS
  • Conmutación de alta velocidad y baja capacitancia
  • 650 V nominal
  • Variantes AEC-Q100 disponibles

Aplicaciones

  • Convertidor de CC-CC
  • Inversor elevador
  • CC/CC para usos automotrices
  • PFC para automóviles

Productos finales

  • UPS
  • Solares
  • Fuentes de alimentación
  • Cargador incorporado para automóviles
  • Convertidores de CC/CC automotrices para EV/PHEV

MOSFET de SiC de 650 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NTBG015N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
NTBG045N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
NTH4L015N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
NTH4L045N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
NTH4L015N065SC1 MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, CANAL N Ver detalles
MOSFET de SiC de 900 V de onsemi

MOSFET de SiC de 900 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la compuerta. En consecuencia, los beneficios del sistema incluyen la más alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

Obtener más información

Características

  • 900 V nominal
  • Baja resistencia de encendido
  • Tamaño compacto del chip que garantiza una baja capacitancia y carga de compuerta
  • Conmutación de alta velocidad y baja capacitancia
  • 100 % verificados conforme a UIL
  • Calificado para aplicaciones automotrices según AEC‑Q101

Aplicaciones

  • PFC
  • OBC
  • Inversores elevadores
  • Carga de PV
  • Convertidores de CC/CC automotrices para EV/PHEV
  • Cargadores integrados para la industria automotriz
  • Accionamientos de motor auxiliar automotriz
  • Fuentes de alimentación de red
  • Fuentes de alimentación del servidor

MOSFET de SiC de 900 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NTBG020N090SC1 SICFET DE CANAL N D2PAK DE 900 V 9.8 A/112 A Ver detalles
NTHL020N090SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 900 V/118 A Ver detalles
NTHL060N090SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 900 V/46 A Ver detalles
NVBG020N090SC1 SICFET DE CANAL N D2PAK DE 900 V 9.8 A/112 A Ver detalles
NVHL020N090SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 900 V/118 A Ver detalles

MOSFET de SiC de 1200 V de onsemi

MOSFET de SiC de 1200 V M3S

La familia de MOSFET de SiC M3S de 1200 V está optimizada para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de forma fiable con control del voltaje de compuerta negativo y desactiva los picos en la compuerta. La familia tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con un accionamiento de compuerta de 18 V, pero también funciona bien con un controlador de compuerta de 15 V.

Obtenga más información

Características

  • Paquete TO247-4LD para una baja inductancia de la fuente común
  • Accionamiento de compuerta de 15 V a 18 V
  • Nueva tecnología M3S: RDS(ON) de 22 mohm con bajas pérdidas EON y EOFF
  • Avalancha 100 % probada

Beneficios

  • Reducción de las pérdidas de EON
  • 18 V para el mejor rendimiento; 15 V para la compatibilidad con los circuitos de controladores de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
  • Densidad de potencia mejorada
  • Mayor resistencia a los picos de voltaje de entrada inesperados o a los timbres

Aplicaciones

  • Conversión de CA/CC
  • Conversión de CC/CA
  • Conversión de CC/CC

Productos finales

  • UPS
  • Cargadores de vehículos eléctricos
  • Inversores solares
  • Sistemas de almacenamiento de energía

MOSFET de SiC de 1200 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NTBG020N120SC1 SICFET DE CANAL N D2PAK DE 1200 V 8.6 A/98 A Ver detalles
NTHL020N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 103 A Ver detalles
NVHL020N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 103 A Ver detalles
NTHL080N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 44 A Ver detalles
NVBG020N120SC1 MOSFET DE CANAL N D2PAK DE 1200 V 8.6 A/98 A Ver detalles
NVHL080N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 44 A Ver detalles

Diodos de SiC

Diodo de SiC de 650 V

MOSFET de SiC de 650 V

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de onsemi utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente de la temperatura y funcionamiento térmico excelente hace que el carburo de silicio sea la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, interferencia electromagnética (EMI) reducida, y un tamaño y un costo de sistema reducidos.

Obtener más información

Características

  • Fácil de conectar en paralelo
  • Capacitancia de corriente de sobretensión alta
  • Temperatura de unión máxima: +175 ºC
  • Sin recuperación inversa/sin recuperación directa
  • Frecuencia de conmutación superior
  • Bajo voltaje directo (VF)
  • Coeficiente de temperatura positivo
  • Con calificación AEC-Q101 y capacidad PPAP

Beneficios

  • Convertidores de CC/CC automotrices HEV-EV
  • Cargadores automotrices HEV-EV integrados
  • Potencia industrial
  • PFC
  • Solares
  • UPS
  • Soldadura

MOSFET de SiC de 650 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
FFSB0665B SBD DE SIC DE 650 V 6 A GEN1.5 Ver detalles
FFSB0865B SBD DE SIC DE 650 V 8 A GEN1.5 Ver detalles
FFSP08120A DIODO SCHOTTKY TO220-2 1.2 KV 8 A Ver detalles
FFSP10120A DIODO SCHOTTKY TO220-2 1.2 KV 10 A Ver detalles
FFSP15120A DIODO SCHOTTKY TO220-2 1.2 KV 15 A Ver detalles
FFSH20120A DIODO SCHOTTKY TO247-2 1.2 KV 30 A Ver detalles
FFSP3065A DIODO SCHOTTKY TO220-2 DE 650 V 30 A Ver detalles
FFSM0665A SBD DE SIC DE 650 V 6 A Ver detalles
FFSD1065A SBD DE SIC DE 650 V 10 A Ver detalles
FFSB1065B-F085 SBD DE SIC DE 650 V 10 A GEN1.5 Ver detalles
FFSB2065B-F085 DIODO DE SIC DE 650 V Ver detalles
FFSM1265A SBD DE SIC DE 650 V 12 A Ver detalles
FFSD08120A SBD DE SIC DE 1200 V 8 A Ver detalles
FFSD10120A DIODO SCHOTTKY TO252 DE 1.2 KV Ver detalles
FFSD1065B-F085 SBD DE SIC DE 650 V 10 A GEN1.5 Ver detalles
FFSB3065B-F085 SBD DE SIC DE 650 V 30 A GEN1.5 Ver detalles
FFSB10120A-F085 SBD DE SIC AUTO DE 1200 V 10 A Ver detalles
FFSB20120A-F085 SBD DE SIC AUTO DE 1200 V 20 A Ver detalles
FFSP05120A DIODO SCHOTTKY TO220-2 DE 1.2 KV Ver detalles
FFSP20120A DIODO SCHOT TO220-2L DE 1200 V 20 A Ver detalles

Diodo de SiC de 1200 V

Diodos de SiC de 1200 V

La empresa onsemi presenta los MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V que utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. La baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip aseguran una baja capacitancia y carga de la puerta. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y reducción del tamaño del sistema.

Obtener más información

Características

  • 1200 V nominal
  • Baja resistencia de encendido
  • Tamaño compacto del chip que garantiza una baja capacitancia y carga de compuerta
  • Conmutación de alta velocidad y baja capacitancia
  • 100 % verificados conforme a UIL
  • Calificado para aplicaciones automotrices según AEC‑Q101

Aplicaciones

  • PFC
  • OBC
  • Inversores elevadores
  • Cargadores de PV
  • Convertidores de CC/CC automotrices para EV/PHEV
  • Cargadores integrados para la industria automotriz
  • Accionamientos de motor auxiliar automotriz
  • Inversores solares
  • Fuentes de alimentación de red
  • Fuentes de alimentación del servidor

Diodos de SiC de 1200 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NTBG020N120SC1 SICFET DE CANAL N D2PAK DE 1200 V 8.6 A/98 A Ver detalles
NTHL020N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 103 A Ver detalles
NVHL020N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 103 A Ver detalles
NTHL080N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 44 A Ver detalles
NVBG020N120SC1 MOSFET DE CANAL N D2PAK DE 1200 V 8.6 A/98 A Ver detalles
NVHL080N120SC1 SICFET DE CANAL N TO247-3 DE 1200 V 44 A Ver detalles

Diodo SiC de 1700V

MOSFET de SiC de 1700 V

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de 1700 V de onsemi utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente de la temperatura y funcionamiento térmico excelente hace que el carburo de silicio sea la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, interferencia electromagnética (EMI) reducida, y un tamaño y un costo de sistema reducidos.

Obtener más información

Características

  • Fácil de conectar en paralelo
  • Capacitancia de corriente de sobretensión alta
  • Temperatura de unión máxima: +175 ºC
  • Sin recuperación inversa/sin recuperación hacia adelante
  • Frecuencia de conmutación superior
  • Bajo voltaje directo (VF)
  • Coeficiente de temperatura positivo
  • Con calificación AEC-Q101 y capacidad PPAP

Aplicaciones

  • Convertidores de CC/CC automotrices HEV-EV
  • Cargadores automotrices HEV-EV integrados
  • Potencia industrial
  • PFC
  • Solares
  • UPS
  • Soldadura

MOSFET de SiC de 1700 V

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NDSH25170A JBS DE SIC TO247 DE 1700 V 25 A Ver detalles

Controladores de SiC

Controladores de SiC

Controladores de SiC

La empresa onsemi presenta el controlador simple de 6 A de alta velocidad y lado bajo serie NCx51705 diseñado para accionar principalmente transistores MOSFET de SiC. Para lograr las pérdidas de conducción más bajas posibles, el controlador es capaz de entregar el voltaje de compuerta máximo permitido al dispositivo MOSFET de SiC. Al proporcionar una corriente de pico alta durante el encendido y apagado, las pérdidas de conmutación también se minimizan. Para una confiabilidad mejorada, inmunidad dV/dt y un apagado aún más rápido, el NCx51705 puede utilizar su bomba de carga incorporada para generar un riel de voltaje negativo seleccionable por parte del usuario. Para aplicaciones aisladas, el NCx51705 también proporciona un riel de 5 V accesible externamente para alimentar el lado secundario de los optoaisladores digitales o de alta velocidad.

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Características

  • Alta corriente de salida de pico con etapas de salida divididas
  • Voltaje nominal positivo extendido de hasta 28 V máx.
  • Bomba de carga negativa incorporada ajustable por el usuario (-3.3 V a -8 V)
  • Riel de referencia/polarización accesible de 5 V
  • Bloqueo de subtensión ajustable
  • Función de desaturación rápida
  • Paquete QFN24 de 4 mm x 4 mm
  • Permitir ajuste de encendido/apagado independiente
  • Operación eficiente de MOSFET de SiC durante el período de conducción
  • Apagado rápido e inmunidad dV/dt robusta
  • Minimiza la complejidad de la fuente de polarización en aplicaciones de controlador de compuerta aislado
  • Amplitud suficiente de VGS para igualar el mejor rendimiento de SiC
  • Autoprotección del diseño
  • Paquete de inductancia parasitaria pequeña y baja

Aplicaciones

  • Inversores de alto rendimiento
  • Controladores de motor de alta potencia
  • PFC de polo tótem
  • Accionamiento de motor e industrial
  • UPS e inversores solares
  • Cargadores de CC de alta potencia

Controladores de SiC

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NCP51705MNTXG CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE LADO BAJO 24QFN Ver detalles
NCV51705MNTWG CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE LADO BAJO 24QFN Ver detalles

Controlador de compuerta de alta corriente aislados

Controladores de compuerta de alta corriente aislados

La cartera de controladores de compuerta de onsemi incluye controladores de GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET de puente en H y MOSFET de SiC con y sin inversión, ideales para aplicaciones de conmutación.

Obtenga más información

Controladores de compuerta de alta corriente aislados

Número de pieza del fabricante Descripción Ver detalles
NCD57000DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE MEDIO PUENTE 16SOIC Ver detalles
NCD57001DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE MEDIO PUENTE 16SOIC Ver detalles
NCV57001DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA IGBT DE CI Ver detalles
NCV57000DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA IGBT DE CI Ver detalles

Módulos de potencia y módulos híbridos de SiC

Módulos híbridos de SiC

Módulos de potencia y módulos híbridos de SiC

Características

  • Optimizado para un rendimiento superior
  • Menor resistencia térmica que los dispositivos discretos
  • Paquetes de fácil montaje que se ajustan a los pinouts estándar de la industria
N.° de pieza Descripción Ver detalles
NXH100B120H3Q0PTG Módulo integrado de potencia, elevador dual, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, diodo SiC de 20 A Ver detalles
NXH80B120MNQ0SNG Módulo MOSFET de SiC completo, elevador de SiC completo de dos canales, 1200 V, 80 mohm MOSFET de SiC + 1200 V, Diodo de SiC de 20 A Ver detalles

Comunicación

CAN

CAN

Los transceptores con cable de onsemi son ideales para la conexión en red de vehículos, la conexión en red industrial, los sistemas electrónicos de puertas descentralizados, las unidades de control de carrocerías (BCU), la automatización de viviendas, edificios y procesos, la supervisión medioambiental y las aplicaciones de energía inteligentes. La cartera también incluye opciones calificadas AEC-Q101 y aptas para PPAP específicamente diseñadas y calificadas para aplicaciones de la industria del automóvil.

N.° de pieza Descripción Ver detalles
NCV7349 Transceptor CAN, alta velocidad, bajo consumo Ver detalles
NCV7351 Transceptor CAN/CAN FD, alta velocidad Ver detalles
NCV7357 Transceptor CAN FD, alta velocidad Ver detalles
NCV7343 Transceptor CAN FD, alta velocidad, bajo consumo Ver detalles
NCV7344 Transceptor CAN FD, alta velocidad, bajo consumo Ver detalles
BLE (bluetooth de baja energía)

BLE (bluetooth de baja energía)

Con la conectividad inalámbrica Bluetooth® Low Energy, la RSL15 responde a la creciente demanda de seguridad de las aplicaciones industriales conectadas sin sacrificar el consumo de energía.

N.° de pieza Descripción Ver detalles
RSL10 SoC de radio, certificado Bluetooth® 5, SDK 3.5/SIP Ver detalles
RSL15 MCU inalámbrica segura Bluetooth® 5.2 Ver detalles

Controladores de compuerta aislados galvánicamente

Controladores de compuerta aislados galvánicamente

Controladores de compuerta aislados galvánicamente

La cartera de controladores de compuerta de onsemi incluye controladores de GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET de puente en H y MOSFET de SiC con y sin inversión, ideales para aplicaciones de conmutación.

N.° de pieza Descripción Ver detalles
NCD57000DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE MEDIO PUENTE 16SOIC Ver detalles
NCD57001DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA DE CI DE MEDIO PUENTE 16SOIC Ver detalles
NCV57001DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA IGBT DE CI Ver detalles
NCV57000DWR2G CONTROLADOR DE COMPUERTA IGBT DE CI Ver detalles

Aisladores digitales

Aisladores digitales

Aisladores digitales

Los aisladores digitales de onsemi utilizan una señal modulada de alta frecuencia para transmitir datos digitales de alta velocidad a través de una barrera de aislamiento capacitiva. A continuación, la señal se demodula al otro lado de la barrera y crea un transceptor de datos aislado de alto voltaje. Mediante el uso de la tecnología digital (p. ej. codificación/decodificación Manchester, seguimiento digital de parámetros), el aislador digital es capaz de mantener un rendimiento consistente a través de un amplio rango de temperaturas y durante la vida útil de la pieza.

N.° de pieza Descripción Ver detalles
NCID9210 I2C, aislador digital SPI de 5000 Vrms de 2 canales de 50 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50 mm de ancho) Ver detalles
NCID9210R2 I2C, aislador digital SPI de 5000 Vrms de 2 canales de 50 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50 mm de ancho) Ver detalles
NCID9211R2 I2C, aislador digital SPI de 5000 Vrms de 2 canales de 50 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50 mm de ancho) Ver detalles
NCID9401R2 I2C, aislador digital SPI de 5000 Vrms de 4 canales de 10 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50 mm de ancho) Ver detalles
NCID9401 I2C, aislador digital SPI de 5000 Vrms de 4 canales de 10 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50 mm de ancho) Ver detalles
NCID9411 I2C, aislador digital SPI de 5000 Vrms de 4 canales de 10 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50 mm de ancho) Ver detalles
NCID9411R2 I2C, aislador digital SPI de 5000 Vrms de 4 canales de 10 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50 mm de ancho) Ver detalles
NCD57201DR2G Controlador de compuerta de 1.9 A, 2.3 A acoplamiento capacitivo 1000 Vrms 1 canal 8-SOIC Ver detalles
NCV57200DR2G CI del controlador de compuerta de medio puente 8-SOIC no inversor Ver detalles

Reguladores de CA-CC, CC-CC

Regulador/Convertidor de CA-CC, CC-CC

Reguladores de CA/CC - CC/CC

La empresa onsemi dispone de carteras completas de controladores y reguladores de CA-CC y CC-CC fuera de línea, y de controladores del factor de potencia y del lado secundario que permiten una alta eficiencia en modo activo, un bajo consumo en modo de espera y la corrección del factor de potencia.

  1. Controladores de conmutación fuera de línea; incluidos controladores PWM flyback y forward de frecuencia fija, y controladores de modo de corriente y de modo de voltaje.
  2. Reguladores de conmutación fuera de línea, incluido el modo de corriente, el modo de voltaje y los dispositivos osciladores con compuerta.
  3. Controladores de factor de potencia CRM, CCM y DCM variables que permiten corregir el factor de potencia.
  4. Controladores de rectificación sincrónica de lado secundario
  5. Controladores de corriente y de voltaje para circuitos de conversión de potencia de CC-CC.
N.° de pieza Descripción Ver detalles
NCP10670 Interruptores fuera de línea (flyback con interruptor de potencia integrado) Ver detalles
FSL336 Interruptores fuera de línea (flyback con interruptor de potencia integrado) Ver detalles
FSL337 Convertidor reductor fuera de línea, reductor-elevador, topología Flyback 50kHz 7-DIP Ver detalles
FSL518A/H Interruptores fuera de línea (flyback con interruptor de potencia integrado) Ver detalles
FSL538A/H Interruptores fuera de línea (flyback con interruptor de potencia integrado) Ver detalles

Controladores de CA-CC - CC/CC

Regulador/Convertidor de CA-CC, CC-CC

Controladores de CA-CC - CC/CC

La empresa onsemi dispone de carteras completas de controladores y reguladores de CA-CC y CC-CC fuera de línea, y de controladores del factor de potencia y del lado secundario que permiten una alta eficiencia en modo activo, un bajo consumo en modo de espera y la corrección del factor de potencia.

  1. Controladores de conmutación fuera de línea; incluidos controladores PWM flyback y forward de frecuencia fija, y controladores de modo de corriente y de modo de voltaje.
  2. Reguladores de conmutación fuera de línea, incluido el modo de corriente, el modo de voltaje y los dispositivos osciladores con compuerta.
  3. Controladores de factor de potencia CRM, CCM y DCM variables que permiten corregir el factor de potencia.
  4. Controladores de rectificación sincrónica de lado secundario
  5. Controladores de corriente y de voltaje para circuitos de conversión de potencia de CC-CC.
N.° de pieza Descripción Ver detalles
NCP1252 Controlador PWM, modo corriente, para aplicaciones Forward y Flyback Ver detalles
NCP12700 Controlador PWM en modo de corriente de entrada ultra ancha Ver detalles
NCP136x Controlador PWM del lado primario del automóvil para SMPS de bajo consumo sin conexión Ver detalles
NCP1568 Controlador PWM flyback de fijación activa de CA-CC Ver detalles
NCP4306 Controlador del lado primario y secundario Ver detalles

Convertidores de CC/CC

Convertidores de CC/CC

Convertidores de CC/CC

N.° de pieza Descripción Ver detalles
NCP3237MNTXG Regulador reductor de conmutación CI positivo ajustable 0.6 V 1 salida 8 A 18-VFQFN Ver detalles
FAN49100AUC330X Regulador de conmutación reductor-elevador CI positivo fijo 3.3V 1 salida 2 A 20-UFBGA, WLCSP Ver detalles
FAN49103AUC340X Regulador de conmutación reductor-elevador CI positivo programable (fijo) 2.8V 3.4 V 1 salida 2.5A 20-UFBGA, WLCSP Ver detalles
FAN53555UC08X Salida del CI del regulador de conmutación Ver detalles
FAN53555BUC79X Salida del CI del regulador de conmutación Ver detalles
FAN53555UC09X Salida del CI del regulador de conmutación Ver detalles
FAN5910UCX Salida del CI del regulador de conmutación Ver detalles
FAN48610UC50X Regulador de conmutación elevador CI positivo fijo 5 V 1 salida 1 A (Interruptor) 9-UFBGA, WLCSP Ver detalles
FAN48610BUC50X Regulador de conmutación elevador CI positivo fijo 5 V 1 salida 1 A (Interruptor) 9-UFBGA, WLCSP Ver detalles
FAN53880UC001X Salida del CI del regulador de conmutación Ver detalles
NCP5252MNTXG Regulador reductor de conmutación CI positivo ajustable 0.6 V 1 salida 2 A placa descubierta 16-VFQFN Ver detalles
NCP3064MNTXG Regulador reductor, elevador de conmutación CI positivo o negativo ajustable 1.25 V 1 salida 1.5 A (Interruptor) placa descubierta 8-VDFN Ver detalles
NCP3064BDR2G Regulador reductor, elevador de conmutación CI positivo o negativo ajustable 1.25 V 1 salida 1.5 A (Interruptor) 8-SOIC (0.154", 3.90 mm de ancho) Ver detalles
NCP3064DR2G Regulador reductor, elevador de conmutación CI positivo o negativo ajustable 1.25 V 1 salida 1.5 A (Interruptor) 8-SOIC (0.154", 3.90 mm de ancho) Ver detalles
NCP3064MNTXG Regulador reductor, elevador de conmutación CI positivo o negativo ajustable 1.25 V 1 salida 1.5 A (Interruptor) placa descubierta 8-VDFN Ver detalles
FAN53610AUC33X Regulador de conmutación reductor CI positivo fijo 3.3 V 1 salida 1 A 6-UFBGA, WLCSP Ver detalles