NTHL080N120SC1 onsemi | Productos de semiconductores discretos

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NTHL080N120SC1
N.º de producto de DigiKey	NTHL080N120SC1OS-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTHL080N120SC1
Descripción	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 44A (Tc) 348W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTHL080N120SC1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	44A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	110mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	4.3V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1670 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	348W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	NTHL080