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Diodos de carburo de silicio EliteSiC de 1700 V

Los diodos de onsemi tienen características de conmutación independientes de la temperatura y un excelente rendimiento térmico.

Los diodos schottky de carburo de silicio EliteSiC de Imagen de diodos de carburo de silicio (SiC) de 1700 V de onsemionsemi utilizan una tecnología que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente de la temperatura y funcionamiento térmico excelente hace que el carburo de silicio sea la próxima generación de semiconductores de potencia. Los beneficios del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación más rápida, una mayor densidad de potencia, interferencia electromagnética (EMI) reducida, y un tamaño y un costo de sistema reducidos.

Características
  • Facilidad de paralelismo
  • Capacitancia de corriente de sobretensión alta
  • Temperatura de unión máxima: +175 ºC
  • Sin recuperación inversa/sin recuperación hacia adelante
  • Frecuencia de conmutación superior
  • Baja tensión directa - VF
  • Coeficiente de temperatura positivo
  • Con calificación AEC-Q101 y capacidad PPAP
Aplicaciones
  • Convertidores de CC/CC automotrices HEV-EV
  • Cargadores automotrices HEV-EV integrados
  • Potencia industrial
  • PFC
  • Aplicaciones solares
  • UPS
  • Soldadura

1700 V EliteSiC Diodes

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Publicado: 2020-04-02

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