Name: NVBG020N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG020N120SC1TR-ND
Price: 50.6869 EUR
Availability: InStock

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NVBG020N120SC1
N.º de producto de DigiKey	5556-NVBG020N120SC1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 5556-NVBG020N120SC1CT-ND - Cinta cortada (CT) 5556-NVBG020N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVBG020N120SC1
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 8.6A (Ta), 98A (Tc) 3.7W (Ta), 468W (Tc) D2PAK-7
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVBG020N120SC1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.6A (Ta), 98A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	28mOhm a 60A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	4.3V a 20mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	220 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2943 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.7W (Ta), 468W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Número de producto base	NVBG020