NCD5700xDWR2G: Controladores de puerta IGBT aislados de alta corriente y alta eficiencia con aislamiento galvánico interno

NCD5700x de ON Semi para una alta eficiencia y confiabilidad del sistema en aplicaciones de alta potencia

Imagen de NCD57000DWR2G/NCD57001DWR2G de ON Semiconductor: controladores de compuerta IGBT aislados de alta corriente y alta eficiencia con aislamiento galvánico internoON Semiconductor presenta las series NCD57000 y NCD57001 que son controladores IGBT de un solo canal de alta corriente con aislamiento galvánico interno diseñados para una alta eficiencia y confiabilidad del sistema en aplicaciones de alta potencia. El NCD57000 admite señales de 5 V y 3.3 V en el lado de entrada y amplio rango de voltaje de polarización en el lado del controlador, incluida la capacidad de voltaje negativo. El NCD57000 proporciona >5 kVRMS (clasificación UL1577) de aislamiento galvánico y capacidades de >1200 VIORM (voltaje de trabajo). El NCD57000 está disponible en el paquete SOIC-16 de cuerpo ancho con una distancia de fuga garantizada de 8 mm entre la entrada y la salida para cumplir con los requisitos de aislamiento de seguridad reforzada.

Sus características incluyen entradas complementarias, salidas de FALLAS y LISTAS de drenaje abierto, pinza Miller activa, UVLO precisos, protección DESAT y apagado suave en DESAT. El NCD5700 también tiene salidas de controlador separadas alta y baja (OUTH y OUTL) para la conveniencia del diseño del sistema.

Características
  • Salida de corriente alta (+4 A/-6 A) en los voltajes de meseta Miller de IGBT
  • Retrasos de propagación cortos con coincidencia precisa
  • DESAT con apagado suave
  • Pinza Miller activa y voltaje de compuerta negativo
  • Alta inmunidad transitoria y electromagnética
  • Aislamiento galvánico de 5 kV
  • Calificado según AEC-Q100
Beneficios
  • Mejora la eficiencia del sistema
  • Mejora la integridad de la señal PWM
  • Protección contra sobrecargas y cortocircuitos
  • Evita el encendido espurio de la compuerta
  • Robustez en aplicaciones de conmutación de alto voltaje y alta corriente de velocidad de respuesta rápida
  • Aislamiento galvánico para separar los lados de alto y bajo voltaje para brindar seguridad y protección
Aplicaciones
  • Inversores solares
  • Controles del motor
  • UPS
  • Fuentes de alimentación industriales
  • Soldadura

NCD57000DWR2G/NCD57001DWR2G: IGBT Gate Drivers

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOICNCD57000DWR2GDGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC1539 - Inmediata$5.73Ver detalles
DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOICNCD57001DWR2GDGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC1231 - Inmediata$5.26Ver detalles
DGTL ISO 1.2KV 1CH GT DVR 16SOICNCV57001DWR2GDGTL ISO 1.2KV 1CH GT DVR 16SOIC4203 - Inmediata$5.43Ver detalles
DGTL ISO 1.2KV 1CH GT DVR 16SOICNCV57000DWR2GDGTL ISO 1.2KV 1CH GT DVR 16SOIC1878 - Inmediata
2000 - Stock en fábrica
$3.49Ver detalles
DGTL ISO 1.2KV 1CH GT DVR 16SOICNCV57001FDWR2GDGTL ISO 1.2KV 1CH GT DVR 16SOIC780 - Inmediata$5.04Ver detalles

Other Wide Bandgap Solutions

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3NTHL080N120SC1SICFET N-CH 1200V 44A TO247-30 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472NDSH25170ADIODE SIL CARB 1700V 25A TO24720 - Inmediata$15.15Ver detalles
DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AAFFSD08120ADIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA2358 - Inmediata
5000 - Stock en fábrica
$5.67Ver detalles
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263FFSB0665BDIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263627 - Inmediata$2.60Ver detalles
IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFNNCP51705MNTXGIC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN961 - Inmediata
114000 - Stock en fábrica
$4.94Ver detalles
Publicado: 2019-04-01