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MOSFET de canal N de alto rendimiento para una mayor eficiencia y fiabilidad
Los MOSFET de canal N de alto rendimiento con características avanzadas de Nexperia están diseñados para un rendimiento óptimo en entornos exigentes.
Los MOSFET de canal N de Nexperia están diseñados para ofrecer un rendimiento excepcional en aplicaciones de alta fiabilidad. Estos MOSFET presentan valores RDS(ON) muy bajos y un rendimiento mejorado de la zona de funcionamiento seguro (SOA), lo que los hace ideales para aplicaciones hot-swap y de arranque suave. Los encapsulados clip de cobre (CCPAK1212 y CCPAK1212i) garantizan un rendimiento térmico y una robustez superiores, capaces de soportar importantes corrientes de irrupción durante el encendido.
Con una temperatura máxima de funcionamiento de +175°C, estos MOSFET son adecuados para una amplia gama de aplicaciones industriales y de telecomunicaciones. Sus bajas pérdidas por conducción y alta eficiencia los convierten en la opción preferida de los diseñadores que buscan optimizar la gestión de la energía y la fiabilidad de sus sistemas.
- Valores RDS(ON) muy bajos
- Rendimiento SOA mejorado
- Paquetes clip de cobre de alta fiabilidad (CCPAK1212 y CCPAK1212i)
- Temperatura máxima de funcionamiento de +175°C
- Suficientemente robusto para soportar importantes corrientes de irrupción
- Pérdidas de conducción bajas
- Alta eficiencia
- Optimizado para el funcionamiento en modo lineal
- Bajas pérdidas I²R
- Buen rendimiento térmico
- Capacidad de manejo de corriente alta
- Encapsulado invertido para refrigeración superior (CCPAK1212i)
- Opciones disponibles para uso automotriz
- Controladores de intercambio en caliente
- Interruptores de carga
- Circuito de arranque suave
- Fusibles electrónicos (E-fusible)
- Sistemas de telecomunicaciones
- Fuentes de alimentación industriales
- Sistemas de gestión de batería
- Convertidores de CC/CC
- Circuitos de control del motor
- Unidades de distribución de alimentación
- Gestión energética de servidores y centros de datos
- Sistemas de alimentación automotriz
- Sistemas de energía renovables
- Electrónica para el consumidor
- Sistemas aeroespaciales y de defensa
High-Performance N-Channel MOSFETs
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | PSMNR90-80ASEJ | PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12 | 1003 - Inmediata | $13.44 | Ver detalles |
|  | PSMN1R1-100CSEJ | PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1 | 700 - Inmediata | $13.44 | Ver detalles |
| | PSMN1R0-80CSEJ | PSMN1R0-80CSE/SOT8005A/CCPAK12 | 104 - Inmediata | $13.44 | Ver detalles |
| | PSMN1R0-100ASEJ | PSMN1R0-100ASE/SOT8000A/CCPAK1 | 9 - Inmediata | $13.44 | Ver detalles |
|  | PSMN1R4-100CSEJ | N-CHANNEL, 100 V, 1.42 MOHM, MOS | 1000 - Inmediata | $9.79 | Ver detalles |
|  | PSMN1R4-100ASEJ | N-CHANNEL, 100 V, 1.36 MOHM, MOS | 438 - Inmediata | $9.79 | Ver detalles |
| | PSMN1R2-80CSEJ | N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF | 0 - Inmediata | $9.03 | Ver detalles |
| | PSMN1R2-80ASEJ | N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF | 248 - Inmediata | $10.05 | Ver detalles |
| | PSMNR90-80ASFJ | PSMNR90-80ASF/SOT8000A/CCPAK12 | 982 - Inmediata | $13.94 | Ver detalles |
| | PSMN1R0-100ASFJ | PSMN1R0-100ASF/SOT8000A/CCPAK1 | 107 - Inmediata | $13.97 | Ver detalles |
| | PSMN1R3-100ASFJ | NEXTPOWER 100 V, 1.3 MOHM, N-CHA | 537 - Inmediata | $10.15 | Ver detalles |
| | PSMN1R1-80ASFJ | NEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHA | 250 - Inmediata | $10.43 | Ver detalles |
| | PSMNR90-80CSFJ | PSMNR90-80CSF/SOT8005A/CCPAK12 | 0 - Inmediata | $13.94 | Ver detalles |
| | PSMN1R0-100CSFJ | PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1 | 174 - Inmediata | $13.97 | Ver detalles |
| | PSMN1R4-100CSFJ | NEXTPOWER 100 V, 1.35 MOHM, N-CH | 228 - Inmediata | $10.15 | Ver detalles |
| | PSMN1R1-80CSFJ | NEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHA | 250 - Inmediata | $10.43 | Ver detalles |
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