Name: PSMN1R2-80ASEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R2-80ASEJTR-ND
Price: 8.8572 EUR
Availability: InStock

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PSMN1R2-80ASEJ
N.º de producto de DigiKey	1727-PSMN1R2-80ASEJTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PSMN1R2-80ASEJCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PSMN1R2-80ASEJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN1R2-80ASEJ
Descripción	N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 375A (Ta) 935W (Tc) CCPAK1212
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.6V a 1mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 350 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 26187 pF @ 40 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 935W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 375A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor CCPAK1212
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 12-BESOP (0.370", 9.40mm de ancho)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.18mOhm a 25A, 10V