Name: PSMN1R1-80ASFJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R1-80ASFJTR-ND
Price: 10.9021 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

PSMN1R1-80ASFJ
N.º de producto de DigiKey	1727-PSMN1R1-80ASFJTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-PSMN1R1-80ASFJCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-PSMN1R1-80ASFJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMN1R1-80ASFJ
Descripción	NEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHA
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 385H (Tc) 935W (Tc) CCPAK1212
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	385H (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.11mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	363 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	24627 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	935W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	CCPAK1212
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 12-BESOP (0.370", 9.40mm de ancho)