MOSFET discretos de carburo de silicio CoolSiC™ G2 de 1200 V

Los MOSFET CoolSiC de carburo de silicio (SiC) deInfineon se basan en un proceso de semiconductores de trinchera de última generación optimizado para permitir las pérdidas más bajas en una aplicación y la mayor confiabilidad en operación. La gama de MOSFET discretos CoolSiC está disponible en las clases de voltaje 650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V y 2000 V, con valores de resistencia en estado encendido de 7 mΩ a 1000 mΩ. La tecnología de trinchera CoolSiC permite un conjunto de parámetros flexible para implementar características específicas de las aplicaciones en las respectivas carteras de productos, por ejemplo, voltajes de fuente de puerta, especificación de avalancha, capacidad de cortocircuito o diodo de cuerpo interno con capacidad de conmutación dura.

Los MOSFET discretos CoolSiC G2 de 1.200 V se ofrecen actualmente en tres paquetes diferentes, todos ellos basados en las fortalezas de la tecnología de Generación 1 con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para sistemas más rentables, eficientes, compactos, fáciles de diseñar y fiables. La generación 2 mejora significativamente las cifras clave de mérito para las topologías de conmutación dura y de conmutación suave y es adecuada para todas las combinaciones comunes de etapas CA/CC, CC/CC y CC/CA.

Dos variantes de paquete TO-247 de 4 pines (el paquete estándar TO-247 de 4 pines y un paquete TO-247 HC de 4 pines) están disponibles para que los clientes seleccionen en función de sus necesidades de diseño. El TO-247 de 4 pines ofrece una mayor distancia de fuga, cables de señal delgados y pines Kelvin para evitar la formación de puentes de soldadura, así como un área de material de interfaz térmica (TIM) optimizada para un rendimiento térmico superior. El encapsulado estándar TO-247-4 permite la compatibilidad de pines con la mayoría de las ofertas de paquetes en el mercado. También hay disponibles dispositivos en el encapsulado TO-263-7 (D²PAK-7L), adecuados para aplicaciones de alta potencia y diseñados para MOSFET de baja resistencia a la conexión y conmutación de alta velocidad. El encapsulado TO-263-7 proporciona <7 mm de distancia de fuga y separación y minimiza el esfuerzo de aislamiento en el diseño de la placa de circuito impreso.

El Q-DPAK refrigerado en la parte superior introduce una nueva era en refrigeración, eficiencia energética, flexibilidad de diseño y rendimiento, y está diseñado específicamente para un amplio uso en aplicaciones industriales. Los dispositivos MOSFET CoolSiC G2 en Q-DPAK brindan a los clientes un costo de sistema reducido al permitir un ensamblaje más fácil con un rendimiento térmico excepcional. En comparación con las soluciones refrigeradas por el lado inferior, los dispositivos refrigerados por el lado superior permiten un diseño de PCB más optimizado, lo que a su vez reduce los efectos de los componentes parásitos y las inductancias parásitas, al tiempo que proporciona capacidades de gestión térmica mejoradas. El encapsulado Q-DPAK está disponible como MOSFET doble de medio puente y de conmutación única.

El diseño de referencia de SiC REF-DR3KIMBGSIC2MA consta de dos placas de circuito impreso que incluyen un circuito controlador y un inversor trifásico para servomotores y accionamientos. Las ventajas incluyen una alta densidad de potencia, refrigeración pasiva sin ventiladores de refrigeración y un tamaño ultrapequeño con un diámetro de placa de circuito impreso de sólo 110 mm. Acceda a la biblioteca de diseño de referencia específica de Infineon haciendo clic aquí.