Name: IMBG120R116M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R116M2HXTMA1TR-ND
Price: 6.9575 EUR
Availability: InStock

IMBG120R116M2HXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMBG120R116M2HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMBG120R116M2HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMBG120R116M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMBG120R116M2HXTMA1
Descripción	SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
Plazo estándar del fabricante	45 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 21.2A (Tc) 123W (Tc) PG-TO263-7-12
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	21.2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	115.7mOhm a 6A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.1V a 1.9mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14.4 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	500 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	123W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-7-12
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Número de producto base	IMBG120R116

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1.000	2,19403 €	2.194,03 €
2.000	2,15885 €	4.317,70 €

Precio unitario sin IVA:	5,75000 €
Precio unitario con IVA:	6,95750 €

IMBG120R116M2HXTMA1