Name: IMZC120R017M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R017M2HXKSA1-ND
Price: 20.6668 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N Orificio pasante 1200 V 97A (Tc) 382W (Tc) PG-TO247-4-17

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IMZC120R017M2HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMZC120R017M2HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZC120R017M2HXKSA1
Descripción	SICFET N-CH 1200V 97A TO247
Plazo estándar del fabricante	69 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 97A (Tc) 382W (Tc) PG-TO247-4-17
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMZC120R017M2HXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 17mOhm a 40A, 18V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.1V a 12.7mA
Serie CoolSiC™ G2	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 89 nC @ 18 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +23V, -7V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2910 pF @ 800 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 382W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 97A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-4-17
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-4

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	17,08000 €	17,08 €
30	10,67700 €	320,31 €
120	9,27467 €	1.112,96 €
510	8,86455 €	4.520,92 €

Paquete estándar del fabricante

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