IMZC120R022M2HXKSA1
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IMZC120R022M2HXKSA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R017M2HXKSA1

N.º de producto de DigiKey
448-IMZC120R017M2HXKSA1-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
IMZC120R017M2HXKSA1
Descripción
SICFET N-CH 1200V 97A TO247
Plazo estándar del fabricante
26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 97A (Tc) 382W (Tc) PG-TO247-4-17
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IMZC120R017M2HXKSA1 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
17mOhm a 40A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
5.1V a 12.7mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
89 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2910 pF @ 800 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
382W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO247-4-17
Paquete / Caja (carcasa)
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
115,45000 €15,45 €
309,64133 €289,24 €
1208,79850 €1.055,82 €
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
Precio unitario sin IVA:15,45000 €
Precio unitario con IVA:18,69450 €