Name: IMZC120R022M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Price: 17.7265 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) PG-TO247-4-17

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IMZC120R022M2HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZC120R022M2HXKSA1
Descripción	SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Plazo estándar del fabricante	69 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) PG-TO247-4-17
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMZC120R022M2HXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 22mOhm a 32A, 18V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.1V a 10.1mA
Serie CoolSiC™ G2	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 71 nC @ 18 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +23V, -7V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2330 pF @ 800 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 329W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 80A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-4-17
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-4

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	14,65000 €	14,65 €
30	9,03367 €	271,01 €
120	7,80325 €	936,39 €
510	7,27590 €	3.710,71 €

Paquete estándar del fabricante

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