Name: IMZC120R026M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R026M2HXKSA1-ND
Price: 18.1016 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N Orificio pasante 1200 V 69H (Tc) 289W (Tc) PG-TO247-4-17

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IMZC120R026M2HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMZC120R026M2HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZC120R026M2HXKSA1
Descripción	SICFET N-CH 1200V 69A TO247
Plazo estándar del fabricante	69 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 69H (Tc) 289W (Tc) PG-TO247-4-17
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMZC120R026M2HXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 25mOhm a 27A, 18V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.1V a 8.6mA
Serie CoolSiC™ G2	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 60 nC @ 18 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +23V, -7V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1990 pF @ 800 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 289W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 69H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-4-17
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-4

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	14,96000 €	14,96 €
30	9,10600 €	273,18 €
120	7,82450 €	938,94 €
510	6,88635 €	3.512,04 €
1.020	6,54438 €	6.675,27 €

Paquete estándar del fabricante

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