FET simple, MOSFET

Resultados : 44.669
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44.669Resultados

Demostración
de 44.669
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
198.594
En stock
1 : 0,12000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,02331 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
5.295
En stock
1 : 0,12000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,02352 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
438.292
En stock
1 : 0,13000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,02466 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
200mA (Ta)
4.5V, 10V
3.9Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1.226.876
En stock
1 : 0,14000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,02652 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
400mA (Ta)
4.5V, 10V
1.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
sot-23
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Diotec Semiconductor
124.396
En stock
1 : 0,14000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,02744 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
280mA (Ta)
5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
54.336
En stock
1 : 0,16000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03226 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
350mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
179.918
En stock
1 : 0,17000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03365 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMBT2222AWT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
18.513
En stock
1 : 0,17000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03258 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
310mA (Ta)
4.5V, 10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-70-3 (SOT323)
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
52.397
En stock
1 : 0,18000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03639 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
180mA (Ta)
5V, 10V
6Ohm a 115mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
23 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTC114YEBTL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
841.807
En stock
1 : 0,19000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03707 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
200mA (Ta)
1.2V, 2.5V
1.2Ohm a 100mA, 2.5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
BCV27
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
650.887
En stock
1 : 0,19000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03559 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
220mA (Ta)
2.7V, 4.5V
4Ohm a 400mA, 4.5V
1.06V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
346.458
En stock
1 : 0,19000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03574 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
260mA (Ta)
4.5V, 10V
2.5Ohm a 240mA, 10V
2.5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
128.443
En stock
1 : 0,19000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03707 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
200mA (Ta)
1.5V, 4.5V
2.2Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 1mA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW (Ta)
150°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-323
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Diodes Incorporated
18.199
En stock
1 : 0,19000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03784 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
16.155
En stock
1 : 0,19000 €
Cinta cortada (CT)
8.000 : 0,03165 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
250mA (Ta)
1.2V, 4.5V
1.1Ohm a 150mA, 4.5V
1V a 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VESM
SOT-723
DTA124EUBHZGTL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
1.464.675
En stock
1 : 0,20000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04041 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
0.9V, 4.5V
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
UMT3F
SC-85
63.926
En stock
1 : 0,20000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,03202 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
400mA (Ta)
4.5V, 10V
1.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
CST3
SC-101, SOT-883
SOT-23-3
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
36.564
En stock
1 : 0,20000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03684 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Nexperia USA Inc.
19.158
En stock
1 : 0,20000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03925 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
310mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
683.689
En stock
1 : 0,21000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,03961 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7.5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
76.225
En stock
1 : 0,21000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04206 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm a 170mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
89.461
En stock
1 : 0,21000 €
Cinta cortada (CT)
8.000 : 0,03745 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
3.6Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VESM
SOT-723
SC-75
MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
onsemi
36.053
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04173 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
238mA (Tj)
2.5V, 4.5V
3Ohm a 10mA, 4.5V
1.5V a 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
0
En stock
20.000
Mercado
Consultar el plazo de entrega
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
10.000 : 0,03566 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
500mA (Ta)
2.5V, 4V
1.5Ohm a 10mA, 4V
1.4V a 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
8.993
En stock
1 : 0,22000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 0,04293 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
500mA (Ta)
2.5V, 4V
1.5Ohm a 10mA, 4V
1.4V a 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 44.669

FET y MOSFET simples


Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

  • Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
  • Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

  1. Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
  2. Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
  3. Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.