Name: SUD90330E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD90330E-GE3TR-ND
Price: 2.3353 EUR
Availability: InStock

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SUD90330E-GE3
N.º de producto de DigiKey	SUD90330E-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SUD90330E-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SUD90330E-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SUD90330E-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Plazo estándar del fabricante	42 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 35.8A (Tc) 125W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32 nC @ 10 V
Serie ThunderFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1172 pF @ 100 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 125W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 35.8A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5V, 10V	Número de producto base SUD90330
Rds On (máx) @ Id, Vgs 37.5mOhm a 12.2A, 10V