
SISS65DN-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SISS65DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISS65DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISS65DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISS65DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 25.9A (Ta), 94A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) PowerPAK® 1212-8S |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SISS65DN-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 2.3V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 138 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4930 pF @ 15 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.6mOhm a 15A, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,42000 € | 1,42 € |
| 10 | 0,89800 € | 8,98 € |
| 100 | 0,59880 € | 59,88 € |
| 500 | 0,47036 € | 235,18 € |
| 1.000 | 0,42903 € | 429,03 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,37654 € | 1.129,62 € |
| 6.000 | 0,35012 € | 2.100,72 € |
| 9.000 | 0,33667 € | 3.030,03 € |
| 15.000 | 0,32156 € | 4.823,40 € |
| 21.000 | 0,31691 € | 6.655,11 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,42000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 1,71820 € |









