
SISS65DN-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SISS65DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISS65DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISS65DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISS65DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 25.9A (Ta), 94A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) PowerPAK® 1212-8S |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SISS65DN-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 4.6mOhm a 15A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.3V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 138 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 4930 pF @ 15 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8S | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 1,11000 € | 1,11 € |
10 | 0,69700 € | 6,97 € |
100 | 0,46050 € | 46,05 € |
500 | 0,35874 € | 179,37 € |
1.000 | 0,32597 € | 325,97 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3.000 | 0,28437 € | 853,11 € |
6.000 | 0,26343 € | 1.580,58 € |
9.000 | 0,25277 € | 2.274,93 € |
15.000 | 0,24608 € | 3.691,20 € |
Precio unitario sin IVA: | 1,11000 € |
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Precio unitario con IVA: | 1,34310 € |