
SISS61DN-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SISS61DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISS61DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISS61DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 20 V 30.9A (Ta), 111.9A (Tc) 5W (Ta), 65.8W (Tc) PowerPAK® 1212-8S |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SISS61DN-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 1.8V, 4.5V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 3.5mOhm a 15A, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 900mV a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 231 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±8V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 8740 pF @ 10 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 5W (Ta), 65.8W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8S | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 1,22000 € | 1,22 € |
10 | 0,82100 € | 8,21 € |
100 | 0,54730 € | 54,73 € |
500 | 0,42934 € | 214,67 € |
1.000 | 0,39139 € | 391,39 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3.000 | 0,34318 € | 1.029,54 € |
6.000 | 0,31893 € | 1.913,58 € |
9.000 | 0,31130 € | 2.801,70 € |
Precio unitario sin IVA: | 1,22000 € |
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Precio unitario con IVA: | 1,47620 € |