
SI2365EDS-T1-GE3 | |
---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI2365EDS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2365EDS-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2365EDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI2365EDS-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236 |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 20 V 5.9A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) SOT-23-3 (TO-236) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 1.8V, 4.5V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 32mOhm a 4A, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 1V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 36 nC @ 8 V | |
Vgs (máx.) | ±8V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
---|---|---|
1 | 0,33000 € | 0,33 € |
10 | 0,14500 € | 1,45 € |
100 | 0,11710 € | 11,71 € |
500 | 0,10358 € | 51,79 € |
1.000 | 0,08917 € | 89,17 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
---|---|---|
3.000 | 0,06665 € | 199,95 € |
6.000 | 0,06035 € | 362,10 € |
9.000 | 0,05494 € | 494,46 € |
15.000 | 0,05449 € | 817,35 € |
21.000 | 0,05404 € | 1.134,84 € |
30.000 | 0,05212 € | 1.563,60 € |
75.000 | 0,05072 € | 3.804,00 € |
Precio unitario sin IVA: | 0,33000 € |
---|---|
Precio unitario con IVA: | 0,39930 € |