Name: SI2323DDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2323DDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.7865 EUR
Availability: InStock

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SI2323DDS-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI2323DDS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2323DDS-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2323DDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI2323DDS-T1-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 5.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) SOT-23
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI2323DDS-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5.3A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	39mOhm a 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	36 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1160 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	SI2323